北京批發高純四氟化碳-現貨銷售「多圖」

因為四氟化碳和四氟化圭都是共價化合物，然而碳氟鍵的鍵能遠遠大于硅氟鍵的鍵能，鍵長也是前者短得多，所以四氟化碳的熱穩定性更好。相對分子量88.00。在常溫下，四氟化碳是無色、無臭、不燃的易壓縮性氣體，揮發性較高，是穩定的有機化合物之一，不易溶于水。四氟化碳亦稱全氟化碳、四氟甲1烷、全氟化碳，為非腐蝕性氣體，所有通用材料如鋼、不銹鋼、銅、青銅，鋁等金屬材料都可以使用。

四氟化碳是一種造成溫室效應的氣體。它非常穩定，可以長時間停留在大氣層中，是一種非常強大的溫室氣體。四氟化碳的熱穩定性更好。化合物的熱穩定性主要與化學鍵的鍵能及鍵長有關。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結構，晶格常數為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳的密度比較高，可以填滿地面空間范圍，在不通風的地方會導致窒息。四氟化碳成品應存放在陰涼，干燥，通風的庫房內，嚴禁曝曬，遠離熱源。

四氟化碳亦稱全氟化碳、四氟甲4烷、全氟化碳，為非腐蝕性氣體，所有通用材料如鋼、不銹鋼、銅、青銅，鋁等金屬材料都可以使用。四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質和半導體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中，向反應管內通入氟氣，氟氣先和單質硅反應。

四氟化碳的密度比較高，可以填滿地面空間范圍，在不通風的地方會導致窒息。四氟化碳成品應存放在陰涼，干燥，通風的庫房內，嚴禁曝曬，遠離熱源。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微電子工業中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。