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發布時間：2020-12-14 07:25
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磁控濺射鍍膜機
目前認為濺射現象是彈性碰撞的直接結果，濺射完全是動能的交換過程。當正離子轟擊陰極靶，入射離子當初撞擊靶表面上的原子時，產生彈性碰撞，它直接將其動能傳遞給靶表面上的某個原子或分子，該表面原子獲得動能再向靶內部原子傳遞，經過一系列的級聯碰撞過程，當其中某一個原子或分子獲得指向靶表面外的動量，并且具有了克服表面勢壘(結合能)的能量，它就可以脫離附近其它原子或分子的束縛，逸出靶面而成為濺射原子。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉化，與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。
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鍍膜設備原理及工藝
主要濺射方式：
反應濺射是在濺射的惰性氣體氣氛中,通入一定比例的反應氣體,通常用作反應氣體的主要是氧氣和氮氣。
直流濺射(DC Magnetron1 Sputtering)、射頻濺射(RF Magnetron1 Sputtering)、脈沖濺射(PulsedMagnetro n1 Sp uttering)和中頻濺射(Medium Fre2quency Magnetro2 n Sp uttering)
直流濺射方法用于被濺射材料為導電材料的濺射和反應濺射鍍膜中,其工藝設備簡單,有較高的濺射速率。
中頻交流磁控濺射在單個陰極靶系統中,與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。中頻交流濺射技術還應用于孿生靶(Twin2Mag)濺射系統中,中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個輸出端,分別接到閉合磁場非平衡濺射雙靶的各自陰極上,因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,一對磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極。為了提高靶材利用率，研究出來了不同形式的動態靶，其中以旋轉磁場圓柱靶工業上被廣泛應用，據稱這種靶材的利用率可超過70%，但缺少足夠數據或理論證明。孿生靶濺射技術大大提高磁控濺射運行的穩定性,可避免被毒化的靶面產生電荷積累,引起靶面電弧打火以及陽極消失的問題,濺射速率高,為化合物薄膜的工業化大規模生產奠定基礎。
連續式的磁控濺射生產線 總體上可以分為三個部分: 前處理, 濺射鍍膜, 后處理。
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磁控濺射鍍膜機的注意事項
1、保持機器內艙各部位的清潔；
2、關注真空度指標；
3、檢查并記錄抽真空的時間，如有延長，立刻檢查造成的原因；
4、記錄濺射功率和時間（一般濺射機的銀靶設定功率為0.6千瓦，金靶的設定功率為0.75千瓦，鉻的行走速率為9000pps），如有異常，立刻檢查造成的原因；
5、根據鍍出石英振子的散差，調整遮擋板的各部尺寸；
6、濺鍍后的石英振子要用3M膠帶檢查其牢固度；
7、測試并記錄鍍好的石英振子主要指標，如：頻率、電阻、DLD等；
8、將不良品挑出：電極錯位、劃傷、臟污、掉銀等（工位上要有不良品示意圖）。
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