磁控濺射鍍膜設備價格常用解決方案 沈陽鵬程有限公司

小型自動磁控濺射儀

沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業磁控濺射產品供應商，我們為您帶來以下信息。

1. 濺射室極限真空度：≤6.6×10-6 Pa

2. 系統真空檢漏漏率：≤5.0×10-7Pa.l/S

3. 系統從大氣開始抽氣：濺射室30分鐘可達到6.6×10-4 Pa；

4. 系統停泵關機12小時后真空度：≤5Pa

5. 濺射真空室1套，立式上開蓋結構，尺寸不小于Ф300mm×300mm，全不銹鋼結構，弧焊接，表面進行電化學拋光，內含防污內襯，可內烘烤到100～150℃，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封，腔體內有照明系統

6. 磁控濺射系統 3套， 提供3塊測試靶材。鍍膜不均勻度≤5%

7. 旋轉基片臺 1套，樣品臺可放置不小于100mm樣品1片，具有連續旋轉功能，旋轉0—30轉/分連續可調。基片加熱溫度：室溫—500°C連續可調，由熱電偶閉環反饋控制，加熱電源配備控溫表，控溫方式為PID自動控溫及數字顯示

8. 觀察窗口及法蘭接口部件 1套

9. 工作氣路1套，包含：100SCCM、20SCCM質量流量控制器、CF16截止閥、管路、接頭等共2路； DN16充氣閥、管路、接頭等2路；

10. 抽氣機組及閥門、管道 1套，包含1臺進口復合分子泵及變頻控制電源（680L/s ，德國普發Hipace700分子泵）；1臺機械泵（4L/S） ，1臺DN40氣動截止閥，機械泵與真空室之間的旁抽管路1套，CC150氣動閘板閥1臺（用于復合分子泵與真空室隔離），節流閥1臺，DN40旁抽氣閥1臺，壓差式充氣閥1臺；一般磁控濺射選的是耐溫120度或者150度的即便如此溫度也不宜太高通常冷卻水溫度不宜高過40度，這樣就不會出現磁鐵損壞、導致涂層不均勻、電壓升高、沉積速率降低等問題。管道采用不銹鋼三通及波紋管，

11. 安裝機臺架組件 1套，由方鋼型材焊接成，快卸圍板表面噴塑處理，機臺表面用不銹鋼蒙皮裝飾，四只腳輪，可固定，可移動。

磁控濺射介紹

以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，今天我們來分享磁控濺射產品的相關內容，希望對同行業的朋友有所幫助！

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。這是因為靶（陰極），等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體（如陶瓷），則回路斷了。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容，這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時接地技術很復雜，因而難大規模采用。為解決此問題，發明了磁控反應濺射。就是用金屬靶，加入氣和反應氣體如氮氣或氧氣。特別是透明導電玻璃廣泛應用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉化，與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。

磁控濺射鍍膜機的工作原理是什么？

磁控濺射原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與原子發生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材，經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用（ E X B drift）使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。至于靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀。但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現10A甚至1A的表面平整，是現在真空鍍膜中主要的技術含量與技術瓶頸所在，具體控制因素下面會根據不同鍍膜給出詳細解釋。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系。在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在次原理下工作。所不同的是電場方向，電壓電流大小而已

沈陽鵬程真空技術有限責任公司本著多年磁控濺射產品行業經驗，專注磁控濺射產品研發定制與生產，先進的磁控濺射產品生產設備和技術，建立了嚴格的產品生產體系，想要更多的了解，歡迎咨詢圖片上的熱線電話！！！