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              發布時間:2021-06-23 07:26  

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              光刻膠的應用

              以下內容由賽米萊德為您提供,希望對同行業的朋友有所幫助。

              模擬半導體(Analog Semiconductors)發光二極管(Light-Emitting Diodes LEDs)微機電系統(Microelectromechanical Systems MEMS)太陽能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)光電子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封裝(Packaging)



              光刻膠的參數介紹

              1.對比度(Contrast)

              對比度指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。 對比度越好,越容易形成側壁陡直的圖形和較高的寬高比。

              2.粘滯性/黏度 (Viscosity)

              衡量光刻膠流動特性的參數。黏度通常可以使用光刻膠中聚合物的固體含量來控制。同一種光刻膠根據濃度不同可以有不同的黏度,而不同的黏度決定了該膠的不同的涂膠厚度。

              3.抗蝕性(Anti-etching)

              光刻膠必須保持它的粘附性,在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。  

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              選擇光刻膠需要注意什么

              光刻加工工藝中為了圖形轉移,輻照必須作用在光刻膠上,通過改變光刻膠材料的性質,使得在完成光刻工藝后,光刻版圖形被拷貝在圓片的表面。而加工前,如何選用光刻膠在很大程度上已經決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是較好的,但實際應用中由于加工類型、加工要求、加工成本的考慮,需要對光刻膠進行合理的選擇。

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