激光脈沖沉積裝置廠家誠(chéng)信企業(yè)推薦「沈陽(yáng)鵬程」

脈沖激光沉積簡(jiǎn)介

隨著現(xiàn)代科學(xué)和技術(shù)的發(fā)展，薄膜科學(xué)已成為近年來(lái)迅速發(fā)展的學(xué)科領(lǐng)域之一，是凝聚態(tài)物理學(xué)和材料科學(xué)的一個(gè)重要研究領(lǐng)域。功能薄膜是薄膜研究的主要方面，它不僅具有豐富的物理內(nèi)涵，而且在微電子、光電子、超導(dǎo)材料等領(lǐng)域具有十分廣泛的應(yīng)用。想要了解更多沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司的相關(guān)信息，歡迎撥打圖片上的熱線電話。長(zhǎng)期以來(lái)，人們發(fā)明了多種制膜技術(shù)和方法：真空蒸發(fā)沉積、離子束濺射、磁控濺射沉積、分子束外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、溶膠- 凝膠法等。上述方法各有特點(diǎn)，并在一些領(lǐng)域得到應(yīng)用。但由于其各有局限性，仍然不能滿足薄膜研究的發(fā)展及多種薄膜制備的需要。隨著激光技術(shù)和設(shè)備的發(fā)展，特別是高功率脈沖激光技術(shù)的發(fā)展，脈沖激光沉積（PLD）技術(shù)的特點(diǎn)逐漸被人們認(rèn)識(shí)和接受

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脈沖激光沉積，就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。主腔室預(yù)留備用的腔口，如用于觀察靶材和基底，安裝原子吸收或發(fā)射光譜儀、原位橢偏儀、離子槍或磁控濺射源、殘留氣體分析器和離子探針或其他的元件等等5。 在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛，可用來(lái)制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來(lái)制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。

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脈沖激光沉積選件介紹

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的術(shù)語(yǔ)，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測(cè)的反射高能電子衍射（RHEED）的聯(lián)合應(yīng)用，用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長(zhǎng)的單分子水平控制。

正確的設(shè)計(jì)是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因?yàn)樵谀承┨厥馇闆r下，PLD 采用較高的壓力，差動(dòng)抽氣是必要的，

維持RHEED 槍的工作壓力，同時(shí)保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時(shí)，設(shè)計(jì)完整的系統(tǒng)消除磁場(chǎng)對(duì)電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達(dá)到500 mTorr 時(shí)所需的單分子層控制。

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