風(fēng)力發(fā)電用IGBT測試儀廠家量大從優(yōu)

3、技術(shù)指標(biāo) * 3.1 機(jī)臺(tái)可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機(jī)臺(tái)可測IGBT項(xiàng)目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導(dǎo)通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機(jī)臺(tái)可測MOS項(xiàng)目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測試項(xiàng)目 測量范圍 測試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA；從檢測部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機(jī)處理后可自動(dòng)列表顯示相應(yīng)測試數(shù)據(jù)。 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；

如何檢測元件有老化的現(xiàn)象？ 半導(dǎo)體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)的依據(jù)，在檢測元件是否有老化的現(xiàn)象時(shí)，僅須測量導(dǎo)通參數(shù)及漏電流二項(xiàng)即可。將量測的數(shù)據(jù)與其出廠規(guī)格相比較，就可判定元件的好壞或退化的百分比。 何謂半導(dǎo)體元件的參數(shù)？對元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。若元件的工作條件超過其參數(shù)數(shù)據(jù)，元件可能會(huì)立刻燒毀或造成性的損壞。當(dāng)這兩個(gè)參數(shù)通過后，便表示元件基本上良好，再進(jìn)一步作其他參數(shù)的測量，以分辨其中的優(yōu)劣。

11）動(dòng)態(tài)測試?yán)m(xù)流二極管

用于防止測試過程中的過電壓。

?壓降小于1V

?浪涌電流大于20kA

?反向恢復(fù)時(shí)間小于2μs

?工作溫度 室溫～40℃

?工作濕度 <70%

12）安全工作區(qū)測試?yán)m(xù)流二極管

?浪涌電流 大于20kA

?反向恢復(fù)時(shí)間 小于2μS

?工作濕度 <70%

13）被測器件旁路開關(guān)

被測安全接地開關(guān)，設(shè)備不運(yùn)行時(shí)，被測接地。

?電流能力 DC 50A

?隔離耐壓 15kV

?響應(yīng)時(shí)間 150ms

?工作方式 氣動(dòng)控制

?工作氣壓 0.4MPa

?工作濕度 <70%