多靶磁控濺射儀報價常用指南【沈陽鵬程】

雙室磁控濺射系統

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設備簡介

主要特點是設備體積小，結構簡單緊湊易于操作，對實驗室供電要求低；該系列設備主要部件采用進口或者國內最優的配置，從而提高設備的穩定性；另外自主開發的智能操作系統在設備的運行重復性及安全性方面得到更好地保障。濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較一般。 目前該系列有基本型、旗艦型、豪華型、尊享型4種不同配置可供選擇，可以根據客戶的不同需求進行配置，比較靈活；標配4只Φ2英寸永磁靶，4臺500W直流濺射電源，主要用來開發納米級單層及多層的金屬導電膜、半導體膜以及絕緣膜等。

磁控濺射的工作原理

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磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統，計算機控制系統的功能：對位移和樣品公轉速度隨時間的變化做實時采集，對位移誤差進行計算，以曲線和數值顯示。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于磁控濺射一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。

磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯過程。在這種級聯過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。