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肖特基二極管是以其發明人華特?肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管。

從誕生之初，肖特基二極管就注定了其不平凡的一生，從低頻到高頻，從高損耗到低損耗，肖特基二極管在其發展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世紀延續了這個不平凡，將高頻率低耗損環保節能的產品引入并發展！

在金屬內部和半導體導帶相對應的分能級上，電子密度小于半導體導帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導體帶正電荷。由于金屬是理想的導體，負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內。而對于N型半導體來說，失去電子的施主雜質原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。

接下來我們將一起看一下ASEMI肖特基二極管和超快恢復二極管、快恢復二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關二極管的性能比較。

在頻率上，肖特基二極管大于超快恢復二極管大于快恢復二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關二極管；

在電流范圍上，肖特基二極管大于超快恢復二極管大于快恢復二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關二極管；

在耐壓限制范圍上，肖特基二極管小于超快恢復二極管小于快恢復二極管小于硅高頻整流二極管小于硅高速開關二極管；

由表可見，硅高速開關二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。

MURF1060CT 強元芯ASEMI核芯動力 快恢復實力彰顯！

采用了臺灣健鼎的一體化測試設備，減少人工操作環節，同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數經過6道檢測。更是打破業界測試標準，將漏電流有5uA加嚴到2uA以內；正向壓降Vf由1.0V加嚴到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內。其采用俄羅斯進口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩定，可信賴度佳。