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蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。

為沉積高純單晶膜層，可采用分子束外延方法。機械作業(yè)前查看運動部分是否加注了潤滑油，然后發(fā)動并查看離合器、制動器是否正常，并將機床空運轉1-3分鐘，機械有毛病時制止操作。生長摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當它被加熱到一定溫度時，爐中元素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫度，沉積在基片上的分子可以徙動，按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜，薄膜較慢生長速度可控制在1單層／秒。通過控制擋板,可精準地做出所需成分和結構的單晶薄膜。

指環(huán)6的外圈8上設置有內軌9，裝飾件7的底邊上設置有凸邊10，所述凸邊10卡在內軌9上，裝飾件7通過凸邊10與內軌9的配合，使裝飾件7在指環(huán)6上沿著內軌9活動；所述指環(huán)扣上設置有至少一個裝飾件7，且裝飾件7為鑲有鉆石或珠片的裝飾件7。（2）結構不對稱彎曲件，彎曲時毛坯容易發(fā)生偏移，應盡可能采用成對彎曲后，再切開的工藝方法。使用者可以根據(jù)喜好或使用場合選擇鑲有鉆石或珠片的裝飾件7，而且在使用者使用的時候，有至少一個裝飾件7沿著內軌9在指環(huán)6內轉動，不僅能為指環(huán)扣增加美感，還能指環(huán)扣的趣味性。

所述指環(huán)扣還設置有上蓋11，所述上蓋11的上表面上設置有圖案，所述上蓋11的邊緣上設置有第二凸邊12，所述指環(huán)6的內圈13上設置有第二內軌14，所述第二凸邊12卡在第二內軌14上，上蓋11通過第二凸邊12與第二內軌14的配合，把上蓋11安裝在指環(huán)6上。技術特點：提高工件的尺寸精度或幾何形狀精度，得到光滑表面或鏡面光澤，同時也可消除光澤。優(yōu)選的第二凸邊12為階梯型凸邊，在使用的時候，使用者只需對指環(huán)6施力使指環(huán)6稍微變形，第二凸邊12便可與指環(huán)6相分離，實現(xiàn)上蓋11與指環(huán)6可拆卸連接，所述上蓋11不僅可用于遮蓋指環(huán)6的內部結構，還與指環(huán)6可拆卸連接，使用者可以根據(jù)自己的喜好更換上蓋11的圖案。