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              OPTM設備服務介紹

              發布時間:2020-07-23 19:41  

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              測量示例:

              SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測量

              半導體晶體管通過控制電流的導通狀態來發送信號,但是為了防止電流泄漏和另一個晶體管的電流流過任意路徑,有必要隔離晶體管,埋入絕緣膜。 SiO 2(二氧化硅)或SiN(氮化硅)可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜,而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數的絕緣膜,或是作為通過CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精準的工藝控制,有必要測量這些膜厚度。



               










               膜厚儀在電氣安全方面按照要求正常使用儀器,就不會對人造成任何危險或損害。膜厚儀包含傳導線電壓的元件,它是按照準則的安全條款設計的。必須遵循儀器安全條款和準則有關儀器操作的規定!  電源連接為避免損壞儀器,供電電壓必須與膜厚儀銘牌上的電壓一致。儀器必須使用三相插頭連到一個已接地的插座上。

              如果膜厚測試儀已經進行了適當的校準,所有的測量值將保持在一定的誤差范圍內;根據統計學的觀點,一次讀數是不可靠的。因此任何由膜厚測試儀顯示的測量值都是五次“看不見”的測量的平均值。這五次測量是在幾分之一秒的時間內由探頭和儀器完成的。


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