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發布時間：2020-08-04 15:42
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測試參數： ICES 集電極-發射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發射極飽和電壓 ICON 通態電極電流 VGEON 通態柵極電壓 VF 二極管正向導通壓降 整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。
半導體元件除了本身功能要良好之外，其各項參數能否達到電路上的要求，必須定期測量，否則產品的質量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導致燒毀，甚至在使用中會發生。所以對新產品及使用中的元件參數的篩選及檢查更為重要。 半導體元件的每一個參數，依其極性的不同，都須要一個獨特的測量電路，我公司所設計生產的半導體元件自動測試系統，具有一組繼電器形成的矩陣電路，依每個參數的定義，形成千變萬化的電路，再依元件的出廠規格加上額定的電流或電壓后，在極短的時間內將所須要的數據量測出來，且有些參數從量測的數據經快速運算即可得知其特性是否在規定范圍內。1開關時間測試單元技術條件 開通時間測試參數： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量：0。
測試參數多且完整、應用領域更廣泛，但只要使用其基本的2項功能：「開啟」電流壓降，「關閉」電流的漏電流，就可知道大功半導體有沒有老化的現象。
?可移動型儀器，使用方便，測試簡單快速，立即提供測試結果與數值。
?適用的半導體元件種類多，尤其能測大功率元件。
?用戶能確實掌握新采購元件的質量，避免用到瑕疵或品。
?完全由計算機控制、快速的設定參數。
?適用于實驗室和老化篩選的測試。
?操作非常簡單、速度快。
?完全計算機自動判斷、自動比對。
2.7測試夾具 1、控制方式：氣動控制 2、控溫范圍：室溫—150℃ 室溫—125℃±1.0℃±3% 125—150℃±1.5℃±3% 3、電源：交流50HZ，220V，功率不大于1000W 4、夾具能安裝不同規格的適配器，以測試不同規格的器件，不同模塊需要配備不同的適配器，設備出廠時配備62mm封裝專用測試夾具、EconoPACK3封裝專用測試夾具、34mm封裝專用測試夾具各一套，但需甲方提供適配器對應器件的外形圖；每個電流模塊，都具有獨立的供電系統，以便在測試時，提供內部電路及電池組充電之用。 2.8環境要求 環境溫度：15～35℃ 相對濕度：小于70% 大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa 壓縮空氣：不小于0.4MPa 電網電壓：AC220V±10%無嚴重諧波，三線制 電網頻率：50Hz±1Hz
