風力發電用IGBT測試儀廠家量大從優

3、技術指標 * 3.1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測試項目 測量范圍 測試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA；從檢測部分傳輸的數據經上位機處理后可自動列表顯示相應測試數據。 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；

如何檢測元件有老化的現象？ 半導體元件有許多參數都很重要，有些參數如：放大倍率，觸發參數，閂扣，保持參數，崩潰電壓等，是提供給工程師在設計電路時的依據，在檢測元件是否有老化的現象時，僅須測量導通參數及漏電流二項即可。將量測的數據與其出廠規格相比較，就可判定元件的好壞或退化的百分比。 何謂半導體元件的參數？對元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數據便稱為此元件的參數。若元件的工作條件超過其參數數據，元件可能會立刻燒毀或造成性的損壞。當這兩個參數通過后，便表示元件基本上良好，再進一步作其他參數的測量，以分辨其中的優劣。

11）動態測試續流二極管

用于防止測試過程中的過電壓。

?壓降小于1V

?浪涌電流大于20kA

?反向恢復時間小于2μs

?工作溫度 室溫～40℃

?工作濕度 <70%

12）安全工作區測試續流二極管

?浪涌電流 大于20kA

?反向恢復時間 小于2μS

?工作濕度 <70%

13）被測器件旁路開關

被測安全接地開關，設備不運行時，被測接地。

?電流能力 DC 50A

?隔離耐壓 15kV

?響應時間 150ms

?工作方式 氣動控制

?工作氣壓 0.4MPa

?工作濕度 <70%