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    硅片的預備處理： 

    在通風柜內，將激光切割好的中小型硅片放置整潔的 羥化燒杯 （ 專用型 ）中，將其 反面朝上， 用去離子水清洗 3 次， 清洗時稍用力， 使硅片可以在燒杯中旋 轉起來，以降低硅片中間的磨擦撞擊；將水倒凈，馬上用移液管（ 過氧化物 氫專用型 ）往燒杯中添加 5ml 雙氧水（ H2O2），隨后用移液管（ 專 用）添加 15ml （ H2SO4），在搖床邊遲緩震蕩或靜放 30 分鐘使之 充足反映， 此反映可讓表層羥基化。 扔掉上步反映的液體， 用去離子水清 洗 3 次。目前大多數品牌的產品在出廠前都經過嚴格的檢測，只要產品合格、施工標準，光伏電站完全可以經受一般性的降雨、降雪以及冰雹、大風等惡劣天氣。 清洗時稍用力， 使硅片可以在燒杯中轉動起來， 以降低硅片中間 的磨擦撞擊； 隨后將燒杯口斜放， 遲緩旋轉燒杯， 使燒杯內壁的濃硫 酸能被洗掉。 清洗完畢后， 用很多水儲存硅片， 并必須使硅片的反面維持 朝上。

硅基片表面的氨基化處理

    取出 氨化燒杯（ 專用 ）， 先用無水乙醇清洗 2 次， 然后倒入 20ml 無水乙醇，將步驟（ 2）反應后的獲得的羥基化硅片轉移到氨化燒杯中，用無水乙醇清洗 3 次。廠家長期現金采購電池片，硅片，多晶硅，單晶硅，硅料，光伏組件，太陽能電池板回收石英的主要成分也是二氧化硅，較純凈的石英可用來制造石英玻璃，我們在實驗室中使用的一些耐高溫的化學儀器，就是用石英玻璃制成的。清洗時同步驟（２） ，使硅片處于乙醇環境中；清洗完成后倒掉乙醇，迅速加入 3-氨基丙基三乙氧基硅烷（ APTES）和無水乙醇的混合液（體積比為 1： 15），或者先加 15ml 無水乙醇，然后用移液管加 1mlAPTES，搖床上振搖反應 2 h。該反應結束后可以使硅片表面氨基化。

工藝實現

為實現利用濕法刻蝕在硅片加工出刻，硅腐蝕。V 形槽條紋這一目標，需要三步工藝：氧化，光圖 1 硅單晶晶體結構。

在本文中用（ 100）雙面拋光硅片來敘述，圖 2 中 V 型槽的兩個斜面為 (111)晶面，底面為(100)晶面。由晶體結構計算斜面（ 111）與地面（ 100）夾角 54.736°。流程和去銀行類似，用戶材料去營業廳辦理即可，現在許多供電營業廳設有專門的窗口。當腐蝕的時候，從（ 100）硅片上沿著（ 110）方向腐蝕時掉需要腐蝕的硅原子，從而暴露出傾角為 54.736°的（ 111）面，雙面進行就會形成 V 型槽結構。由于硅片的腐蝕存在備向異性，硅 (111)晶面的腐蝕速度遠小于 (100)面的。因此，只要選擇適當的腐蝕溫度和時間，就能得到如圖 2 所示的硅片 V 型槽。將硅單晶體按（ 100）方向切成所需大小的硅片。

    對于不清楚流程的用戶可以直接撥打95598進行咨詢，然后去就近的供電營業廳申請辦理。硅酸鹽的種類很多，結構也很復雜，通常可用二氧化硅和金屬氧化物的形式來表示其組成。流程和去銀行類似，用戶材料去營業廳辦理即可，現在許多供電營業廳設有專門的窗口。這里需要明確一點對于公用位置上面建設光伏電站的需要公用位置的所有業主、物業、居委會提供同意證明材料。