江門電鑄標牌價格貨真價實【延銘標牌】

專業提供蝕刻標牌、不銹鋼標牌工藝要求：

1、不銹鋼板須刨坑折彎焊接（不銹鋼板須先刨坑后折彎，以保證邊緣挺拔度）；保證折彎處圓弧角R＜1MM。

2、焊接前清除表面油污，減少焊縫形成的虛焊、氣孔、裂紋等缺陷。

3、焊接完后將所有可見焊縫打磨光滑，與周圍表面一樣平滑，無明顯劃痕。深圳市延銘標牌工藝有限公司專業提供各種標牌，銘牌。

金屬標牌蝕刻突破瓶頸的新模式

　金屬標牌蝕刻是一種全新的蝕刻工藝，標牌顧名思義大家都知道是什么，金屬標牌所選用的材料一般為鋁、銅、不銹鋼板。5鍍前除油（加溫至60℃）泡浸5－10秒除油，烘干后要放在常溫除油劑中然后清洗檢查無印處是否全部親水。而鋁所選用的鋁版一般為拉絲鋁板，擁有精致的線條紋路，使印刷出來的鋁牌顯得十分的精巧、美觀。而輕，柔，美就是鋁牌的特點。這種鋁表面還有一層保護膜保護好鋁牌不被刮花。蝕刻就是在它的上面進行加工，一起來看看金屬標牌蝕刻突破瓶頸的模式吧！

突破性的蝕刻技術實現原子級的蝕刻精準性，從而推動摩爾定律發展；隨著芯片結構日益精細，選擇性工藝可在不損傷芯片的前提下清除不需要的材料；該系統已獲得芯片制造商青睞，用于生產先進FinFET和存儲芯片生產先進芯片的一個重要壁壘是在一個多層結構芯片中有選擇性地清除某一特定材料，而不破壞其他材料是我們在蝕刻領域中的又一大創新，豐富了我們的差異化產品線，通過實現選擇性清除工藝，推動了摩爾定律發展，創造了新的市場機遇。隨著芯片結構日益精細，選擇性工藝可在不損傷芯片的前提下清除不需要的材料。

隨著先進微型芯片的結構日益復雜，其深而窄的溝槽為芯片制造帶來了全新的挑戰，例如濕性化學成分無法穿透微小結構，或是無法在不損傷芯片的前提下清除不需要的物質。使用噴淋式蝕刻機，有數個噴頭從上向下噴灑腐蝕液，金屬板放在下面的傳送帶上，緩慢移動，控制速度，進行腐蝕。Selectra系統的革命性工藝可進入極狹小的空間，從而實現的選擇性材料清除和原子級的蝕刻精準性，適用于各類電介質、金屬和半導體薄膜。其廣泛的工藝范圍以及控制無殘留物和無損傷材料清除的能力，顯著擴大了蝕刻技術的應用范圍，可用于圖案化、邏輯、代工、3DNAND及DRAM等關鍵蝕刻應用。憑借Selectra系統的豐富功能，芯片制造商能夠生產出先進的3D設備，并探索新的芯片結構、材料和集成技術。

鏤空產品的細線條應在基材厚度的 1.2 倍以上； 表面蝕刻產品的細線條間隔應在 0.16mm 左右， 這在 0.16mm 當中黑線與白地的比例視反光度不同可作成 1∶3、2∶2、2∶1。雙面蝕刻產品的正反菲林片四周應有清晰準確的對準十字線， 且正反兩張片都要藥膜帖近基材。蝕刻是一種采用采用化學手段侵蝕材料，制作標牌的方法，是傳統標牌制作方法之一。 （以銅板為例） 板材正面用 2400 轉/分布輪拋光， 1.2 板材處理 達到鏡面效果，然后去臘、除油、清洗、干燥待用。 1.3 網印光致成像感光膠 因為制作圖案極細。顯影后無法修補，因此選擇好的感光膠尤 為重要。我公司選用高氏（coates）光致成像耐蝕油墨，在黃光或 紅光下用 200 目絲網滿版印刷， 頭次印拋光面， 100℃烘 15 分鐘， 第二次印反面，再用 100℃烘 30 分鐘，待冷卻，表面不粘手，方可 進行曝光。 1.4 曝光 吸氣哂版機曝光。曝光時間 20－100 秒不等，線條越細，曝光 時間越長，反之則短。 1.5 顯影 用 3－5%碳酸鈉水溶液顯影， 水溫在 50℃左右， 水泡數秒鐘后， 用軟羊毛刷輕輕將水溶液刷除，然后清水漂洗二次，達到完全沒有殘 留膠為止。將濕銅板直接進行蝕刻，也可晾干后再行蝕刻。

負載（Loading）-- 蝕刻速率依賴于可蝕刻表面數量，可在宏觀或微觀尺寸下。每個蝕刻過程和每種實用的溶液都有一個很好的噴射壓力的問題﹐就目前而言﹐蝕刻艙內噴射壓力在30磅/平方英寸（2Bar）以上的情況微乎其微。 縱橫比決定蝕刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蝕刻速率決定于縱橫比。 終點（Endpoint）-- 在一個蝕刻過程中，平均膜厚被蝕刻干凈時的時間點。 光刻膠（Photo-resist）-- 作為掩膜用來圖形轉移的光敏材料。 分辨率（Resolution）-- 用于測試光學系統把相鄰的目標形成分離圖像的能力。 焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目標能形成影像的縱向距。 關鍵尺寸（Critical dimensi-CD）-- 一個特征圖形的尺寸，包括線寬、間隙、或者 關聯尺寸。