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發布時間：2021-01-02 02:09
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現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換..2測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊 2。..等領域，使半導體開發技術人員在市場需求下，對大功率元件的發展技術，持續在突破。
主要參數 測試范圍 精度要求 測試條件
Vce
集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；
500～1000V±2%±2V；
1000～3300V±1%±5V； 150～3300V
Ic
集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A
Vge
柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；
0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V
Qg
柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC
td(on)、td(off)
開通/關斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；
Eon、Eoff
開通/關斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；
50～200mJ±2%±1mJ；
200～1000mJ±2%±2mJ；
1000～5000mJ±1%±5mJ；
表格12動態參數測試部分組成
序號 組成部分 單位 數量
1 可調充電電源 套 1
2 直流電容器 個 8
3 動態測試負載電感 套 1
4 安全工作區測試負載電感 套 1
5 補充充電回路限流電感L 個 1
6 短路保護放電回路 套 1
7 正常放電回路 套 1
8 高壓大功率開關 個 5
9 尖峰抑制電容 個 1
10 主回路正向導通晶閘管 個 2
11 動態測試續流二極管 個 2
12 安全工作區測試續流二極管 個 3
13 被測器件旁路開關 個 1
14 工控機及操作系統 套 1
15 數據采集與處理單元 套 1
16 機柜及其面板 套 1
17 壓接夾具及其配套系統 套 1
18 加熱裝置 套 1
19 其他輔件 套 1
產品主要有電力半導體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測及可靠性設備，電氣自動化設備，電冶、電化學裝置，電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源、感應加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅動器、遠距離光電轉換軟件控制系統、光電脈沖觸發板、IGBT的智能高壓驅動板等。高壓探頭：滿足表格4-11動態參數、短路電流、安全工作區測試需求。
