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              倫教塑料反光燈注塑信賴推薦

              發(fā)布時間:2020-10-06 17:53  

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              物理l氣相沉積(真空鍍膜)基本方法 :

              從膜層特點(diǎn)看,真空蒸鍍低溫時密度小但表面光滑、氣孔低溫時多、附著性不太好、內(nèi)應(yīng)力為拉應(yīng)力繞射性差;這種鍍膜劑在使用中,j基團(tuán)會被紫外線分解,附著在上面的硅元素也隨之脫落。濺射密度大、氣孔少但混入濺射氣體較多、附著性較好、內(nèi)應(yīng)力為壓應(yīng)力、繞射性差;離子鍍密度大 ,無氣孔但膜層缺陷較多,附著性很好,內(nèi)應(yīng)力視工藝 條件而定,繞射性較好。

              電子束蒸發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)為:①電子束轟擊熱源的束流密度高,能獲得遠(yuǎn)比電阻加熱源更大的能量密度。可以使高熔點(diǎn)(可高達(dá)3000°C以上)材料蒸發(fā),并且能有較高的蒸發(fā)速度;②由于被蒸發(fā)材料是置于水冷堆鍋內(nèi),因而可避免容器材料的蒸發(fā),以及容器材料與蒸鍍材料之間的反應(yīng),這對提高鍍膜的純度極為重要;③熱量可直接加到蒸鍍材料的表面,因而熱,熱傳導(dǎo)和熱輻射的損失少。然而,離子鍍工藝自身就有一種離子轟擊清洗作用,并且這一作用還一直延續(xù)于整個鍍膜過程。


              PLD缺點(diǎn):1、在鍍膜過程中,薄膜會被沉積在薄膜上的等離子本管中產(chǎn)生的微粒、氣態(tài)原子和分子降低質(zhì)量,采取一定的措施后也

              不能完全消除.2、在控制摻雜、生長平滑的多層膜等方面PLD生長部比較困難,因此進(jìn)一步提高薄膜的質(zhì)量會比較困難.



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