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              NR9 3000P光刻膠廠家價格行情「賽米萊德」

              發布時間:2021-10-12 09:04  

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              含硅光刻膠

              為了避免光刻膠線條的倒塌,線寬越小的光刻工藝,就要求光刻膠的厚度越薄。在20nm技術節點,光刻膠的厚度已經減少到了100nm左右。但是薄光刻膠不能有效的阻擋等離子體對襯底的刻蝕 [2]  。為此,研發了含Si的光刻膠,這種含Si光刻膠被旋涂在一層較厚的聚合物材料(常被稱作Underlayer),其對光是不敏感的。曝光顯影后,利用氧等離子體刻蝕,把光刻膠上的圖形轉移到Underlayer上,在氧等離子體刻蝕條件下,含Si的光刻膠刻蝕速率遠小于Underlayer,具有較高的刻蝕選擇性 [2]  。含有Si的光刻膠是使用分子結構中有Si的有機材料合成的,例如硅氧烷,,含Si的樹脂等

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              光刻膠分類

              1、負性光刻膠

              主要有聚酸系(聚酮膠)和環化橡膠系兩大類,前者以柯達公司的KPR為代表,后者以OMR系列為代表。

              2、正性光刻膠

              主要以重氮醒為感光化臺物,以酚醛樹脂為基本材料。的有AZ-1350系列。正膠的主要優點是分辨率高,缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。

              3、負性電子束光刻膠

              為含有環氧基、乙烯基或環硫化物的聚合物。 的是COP膠,典型特性:靈敏度0.3~0.4μC/cm^2 (加速電壓10KV時)、分辨率1.0um、 對比度0.95。限制分辨率

              的主要因素是光刻膠在顯影時的溶脹。

              4、正性電子束光刻膠

              主要為甲酯、烯砜和重氮類這三種聚合物。的是PMMA膠,典型特性:靈敏度40~ 80μC/cm^2 (加速電壓20KV時)、分辨率0.1μm、 對比度2~3。

              PMMA膠的主要優點是分辨率高。主要缺點是靈敏度低,此外在高溫下易流動,耐干法刻蝕性差。

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              光刻膠的未來發展

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              由于光刻膠的技術壁壘較高,國內光刻膠市場基本被國外企業壟斷。特別是高分辨率的KrF和ArF光刻膠,基本被日本和美國企業占據。  

              國內光刻膠生產商主要生產PCB光刻膠,面板光刻膠和半導體光刻膠生產規模相對較小。國內生產的光刻膠中,PCB光刻膠占比94%,LCD光刻膠和半導體光刻膠占比分別僅有3%和2%。

              國內光刻膠需求量遠大于本土產量,且差額逐年擴大。由于國內光刻膠起步晚,目前技術水平相對落后,生產產能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產品,TFT-LCD、半導體光刻膠等高技術壁壘產品產能很少,仍需大量進口,從而導致國內光刻膠需求量遠大于本土產量。



              光刻膠分類概述

              賽米萊德專業生產、銷售光刻膠,以下信息由賽米萊德為您提供。

              基于感光樹脂的化學結構,光刻膠可以分為三種類型。

              ①光聚合型,采用烯類單體,在光作用下生成自由基,自由基再進一步引發單體聚合,然后生成聚合物,具有形成正像的特點。

              ②光分解型,采用含有疊氮醌類化合物的材料,經光照后,會發生光分解反應,由油溶性變為水溶性,可以制成正性膠。

              ③光交聯型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開,并使鏈與鏈之間發生交聯,形成一種不溶性的網狀結構,而起到抗蝕作用,這是一種典型的負性光刻膠。



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