激光脈沖沉積裝置價(jià)格擇優(yōu)推薦,沈陽(yáng)鵬程

發(fā)布時(shí)間：2021-06-29 08:59

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PLD 主要選件

離子輔助沉積 (IBAD)系統(tǒng)介紹

離子輔助沉積已經(jīng)成為在無(wú)規(guī)取向的基片或無(wú)定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)。Neocera 開發(fā)了離子輔助的PLD 系統(tǒng)，該系統(tǒng)將PLD 在沉積復(fù)雜材料方面的優(yōu)勢(shì)與IBAD 能力結(jié)合在一起。

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脈沖激光沉積選件介紹

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的術(shù)語(yǔ)，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測(cè)的反射高能電子衍射（RHEED）的聯(lián)合應(yīng)用，用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長(zhǎng)的單分子水平控制。

正確的設(shè)計(jì)是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因?yàn)樵谀承┨厥馇闆r下，PLD 采用較高的壓力，差動(dòng)抽氣是必要的，

維持RHEED 槍的工作壓力，同時(shí)保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時(shí)，設(shè)計(jì)完整的系統(tǒng)消除磁場(chǎng)對(duì)電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達(dá)到500 mTorr 時(shí)所需的單分子層控制。

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脈沖激光沉積系統(tǒng)的配置介紹

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

1.靶: 數(shù)量6個(gè)，大小1-2英寸，被激光照射時(shí)可自動(dòng)旋轉(zhuǎn)，靶的選擇可通過(guò)步進(jìn)電機(jī)控制;

2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達(dá)1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時(shí)基板可旋轉(zhuǎn)，工作環(huán)境的壓力可達(dá)300mtorr;

3.基板加熱電源，高到1200度;

4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-8 pa;

5.樣品搬運(yùn)室:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa;

6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機(jī)械泵;

7.閥門: 采用超高真空擋板閥;

8.真空檢測(cè):真空計(jì);

9.氣路兩套: 采用氣體流量計(jì)控制;