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發(fā)布時(shí)間：2020-12-03 08:11
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PR1-1000A1負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠家負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠家
5,顯影液
在已經(jīng)曝光的硅襯底膠面噴淋顯影液，或?qū)⑵浣菰陲@影液中，正膠是曝光區(qū)、而負(fù)膠是非曝光區(qū)的膠膜溶入顯影液，膠膜中的潛影顯現(xiàn)出來，形成三維圖像。
顯影完成后通常進(jìn)行工藝線的顯影檢驗(yàn)，通常是在顯微鏡下觀察顯影效果，顯影是否徹底、光刻膠圖形是否完好。
影響顯影的效果主要因素：
1，曝光時(shí)間，2前烘溫度和時(shí)間，3光刻膠膜厚，4顯影液濃度溫度，5顯影液的攪動(dòng)情況。
NR77-20000P負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠家
6，堅(jiān)膜
堅(jiān)膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強(qiáng)，康腐蝕能力提高。堅(jiān)膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min,7，顯影檢驗(yàn),光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準(zhǔn)不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡，針KONG、小島。一般情況下，一個(gè)芯片在制造過程中需要進(jìn)行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會(huì)有不同的要求。
8刻蝕
就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護(hù)的那部分進(jìn)行腐蝕掉，達(dá)到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到下層材料的目的。濕法刻蝕，SIO2,AL, Poly-Si 等薄膜，干法腐蝕。
NR9-1000py
問題回饋：
1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。
A 據(jù)我所知，F(xiàn)uturrex
有幾款膠很，NR7-1500P
NR7-3000P是專門為離子蝕刻
設(shè)計(jì)的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應(yīng)用。
2．請問有沒有可以替代goodpr1518，Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品？
A 美國光刻膠，F(xiàn)uturrex
正膠PR1-2000A
, 去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問題。
3．你們是否有可以替代Shipley
S1805的用于DVD的應(yīng)用產(chǎn)品？
A 我們建議使用Futurrex
PR1-500A , 它有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：比較好的解析度，比較好的線寬控制，
反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~
4． 求助，耐高溫的光阻是那一種？
A Futurrex, NR7 serious(負(fù)光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再經(jīng)過HMCTS
silyiation process,可以達(dá)到耐高溫200度，PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。
5．厚膜光阻在鍍金應(yīng)用上，用哪一種比較理想？
A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。
6．請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合？
A 可以考慮使用Futurrex
，正型光阻PR1，負(fù)型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
7．請問，那位專家知道，RIE
Mask,用什么光阻比較好？
A 正型光阻用PR1系列，負(fù)型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。
8．一般厚膜制程中，哪一種光阻適合？
A NR9-8000P有很高的深寬比（超過4：1），一般厚膜以及，MEMS產(chǎn)品的高需求。
9．在DEEP
RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎？
A 建議不使用，因?yàn)槭褂肗R5-8000更加理想和適合。
10．我們是OLED，我們有一種制程上需要一層SPACER，那種光阻適合？
A 有一種膠很適合，美國Futurrex
生產(chǎn)的NR1-3000PY
and和
NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers
