風(fēng)力發(fā)電用IGBT測試儀廠家廠家供應(yīng)「華科智源」

發(fā)布時間：2021-07-03 05:31

【廣告】

測量目的：對模塊的電壓降參數(shù)進行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。功率模塊的VCE-IC特性曲線會隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會逐漸劣化。因此，定期檢測可預(yù)防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。且變流器由多個模塊組成，由于個體差異，大電流情況下的參數(shù)也會存在個體差異。01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0。因此，測量大電流情況下的各個模塊實際技術(shù)參數(shù)，進行跟蹤管理，可有效保障機車中間直流環(huán)節(jié)可靠運行。 IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

華科智源IGBT測試儀制造標(biāo)準(zhǔn) 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外，在其設(shè)計、制造、試驗、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。3半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器 GB/T4023-1997半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管。 GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則 GB19517-2004 國家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護等級（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標(biāo)志 GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件 GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導(dǎo)地位。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換.中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。...等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場需求下，對大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。