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并聯(lián)型晶體振蕩器電路振蕩過程

接通電源后，三極管VT導(dǎo)通，有變化Ic電流流過VT，它包含著微弱的0～∞各種頻率的信號(hào)。這些信號(hào)加到C1、C2、X1構(gòu)成的選頻電路，選頻電路從中選出f0信號(hào)，在X1、C1、C2兩端有f0信號(hào)電壓，取C2兩端的f0信號(hào)電壓反饋到VT的基-射極之間進(jìn)行放大，放大后輸出信號(hào)又加到選頻電路，C1、C2兩端的信號(hào)電壓增大，C2兩端的電壓又送到VT基-射極，如此反復(fù)進(jìn)行，VT輸出的信號(hào)越來越大，而VT放大電路的放大倍數(shù)逐漸減小，當(dāng)放大電路的放大倍數(shù)與反饋電路的衰減系數(shù)相等時(shí)，輸出信號(hào)幅度保持穩(wěn)定，不會(huì)再增大，該信號(hào)再送到其他的電路。

如何區(qū)分晶體和晶振？

晶體通常為兩腳和四腳晶振，以2520晶振，3225晶振，5032晶振等一類晶振而言，它們都擁有兩腳或者四腳的封裝，晶振為四腳或者四腳以上的，這里可以肯定的一點(diǎn)，兩腳的一定為晶體。那當(dāng)遇到都是四腳的貼片晶振，如何區(qū)分晶體和晶振呢？如果晶體或者晶振在電路板上，我們只需觀察晶振的外部電路是否有其它元器件的連接，如若無，則為晶振（有源晶振）。如果用肉眼觀察，簡單而有力的一點(diǎn)則是觀察晶振的厚度，一般的晶體厚度均在0.45mm左右，而由于晶振技術(shù)內(nèi)置起振芯片，因此晶振的厚度要比晶體高。

晶體振蕩器也分為無源晶振和有源晶振兩種類型

無源晶振與有源晶振（諧振）的英文名稱不同，無源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振蕩器），北京晶宇興科技有限公司生產(chǎn)各式晶體晶振，溫度可達(dá)175度，性能穩(wěn)定，體積小，歡迎有需要的客戶，歡迎來電咨詢!

晶體振蕩器技術(shù)指標(biāo)

（1）總頻差：在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標(biāo)稱頻率的頻差；

（2）頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的允許頻偏；

（3）頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間：以晶體振蕩器穩(wěn)定輸出頻率為基準(zhǔn)，從加電到輸出頻率小于規(guī)定頻率允差所需要的時(shí)間；

（4）頻率老化率：在恒定的環(huán)境條件下測量振蕩器頻率時(shí)，振蕩器頻率和時(shí)間之間的關(guān)系；

（5）頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓，晶體振蕩器頻率的小峰值改變量；

（6）壓控頻率響應(yīng)范圍：當(dāng)調(diào)制頻率時(shí)，峰值頻偏與調(diào)制頻率之間的關(guān)系；

（7）頻率壓控線性：與理想（直線）函數(shù)相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量度，它以百分?jǐn)?shù)表示整個(gè)范圍頻偏的可容許非線性度；

（8）單邊帶相位噪聲：偏離載波f處，一個(gè)相位調(diào)制邊帶的功率密度與載波功率之比。有的技術(shù)人員幫助您選型，歡迎您前來咨詢！