微弧氧化處理規(guī)格尺寸

微弧氧化技術(shù)

       采用微弧氧化技術(shù)對(duì)鋁及其合金材料進(jìn)行表面強(qiáng)化處理，具有工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，占地面積小，處理能力強(qiáng)，生產(chǎn)，適用于大工業(yè)生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。微弧氧化電解液不含有毒物質(zhì)和zhong金屬元素，電解液抗污染能力強(qiáng)和再生重復(fù)使用率高，因而對(duì)環(huán)境污染小，滿足清潔生產(chǎn)的需要，也符合我國(guó)可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的需要。電源要設(shè)置恒電壓和恒電流控制裝置，輸出波形視工藝條件可為直流、方波、鋸齒波等波形。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化生產(chǎn)線

微弧氧化

       在微弧氧化過(guò)程中，化學(xué)氧化、電化學(xué)氧化、等離子體氧化同時(shí)存在,因此陶瓷層的形成過(guò)程非常復(fù)雜,至今還沒(méi)有一個(gè)合理的模型能全描述陶瓷層的形成。微弧氧化工藝將工作區(qū)域由普通陽(yáng)極氧化的法拉第區(qū)域引入到高壓放電區(qū)域，克服了硬質(zhì)陽(yáng)極氧化的缺陷，極大地提高了膜層的綜合性能。微弧氧化膜層與基體結(jié)合牢固，結(jié)構(gòu)致密，韌性高，具有良好的耐磨、耐腐蝕、耐高溫沖擊和電絕緣等特性。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通陽(yáng)極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并ji活在陽(yáng)極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。

微弧氧化的優(yōu)勢(shì)

       微弧氧化是一種直接在有色金屬表面原位生長(zhǎng)陶瓷層的新技術(shù)，微弧氧化技術(shù)是近十幾年在陽(yáng)極氧化基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，但兩者在機(jī)理上、工藝上以及膜層性能上都有許多不同之處。所謂等離子體就是由大量的自由電子和離子組成，且在整體上表現(xiàn)為電中性的物質(zhì)，它被稱為固態(tài)、氣態(tài)和液態(tài)以外的第四態(tài)。處于熱等離子態(tài)的物質(zhì)具有強(qiáng)的導(dǎo)電性，且能量集中，溫度較高，是一個(gè)高熱、高溫的能源。與傳統(tǒng)的陽(yáng)極氧化法相比，微弧氧化陶瓷膜與基體結(jié)合牢固，結(jié)構(gòu)致密，具有良好的耐磨、耐腐蝕、耐高溫沖擊和電絕緣等特性、具有廣闊的應(yīng)用前景。溶液溫度為20～度為20～50℃微弧氧化電源、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線。