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晶振

在振蕩器應用上，振蕩器總是選擇很強的模式工作。一些干擾模式有急劇升降的頻率—溫度特性。有時候，當溫度發生改變，在一定溫度下，寄生模的頻率與振蕩頻率一致，這導致了“活動性下降”。在活動性下降時，寄生模的激勵引起諧振器的額外能量的消耗，導致Q 值的減小，等效串聯電阻增大及振蕩器頻率的改變。當阻抗增加到相當大的時候，振蕩器就會停止，即振蕩器失效。當溫度改變遠離活動性下降的溫度時，振蕩器又會重新工作。寄生模能有適當的設計和封裝方法控制。不斷修正電極與晶片的尺寸關系（即應用能陷原則），并保持晶片主平面平行，這樣就能把寄生模很小化。

晶振指標

靜電容：等效電路中與串聯臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。

工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標的溫度范圍。

頻率溫度穩定度：在標稱電源和負載下，工作在規定溫度范圍內的不帶隱含基準溫度或帶隱含基準溫度允許頻偏。

負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率FL的有效外界電容，用CL表示。

負載電容的選擇：晶體工作在基頻時，其負載電容的標準值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經常工作在串聯諧振，在使用負載電容的地方，其負載電容值應從下列標準值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。

激勵電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應，導致可能出現寄生振蕩；嚴重熱頻漂；過應力頻漂及電阻突變。當激勵電平過低時則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標的不穩定。

濾波電路中的應用：應用于濾波電路中時，除通常的規定外，更應注意其等效電路元件的數值和誤差以及寄生響應的位置和幅度，由于濾波晶體設計的特殊性，所以用戶選購時應特別說明。

晶振的分類

溫度補償晶體振蕩器(以下簡稱TCXO)。

其對溫度穩定性的解決方案采用了一些溫度補償手段，主要原理是通過感應環境溫度，將溫度信息做適當變換后控制晶振的輸出頻率，達到穩定輸出頻率的效果。傳統的TCXO是采用模擬器件進行補償，隨著補償技術的發展，很多數字化補償大TCXO開始出現，這種數字化補償的TCXO又叫DTCXO，用單片機進行補償時我們稱之為MCXO，由于采用了數字化技術，這一類型的晶振再溫度特性上達到了很高的精度，并且能夠適應更寬的工作溫度范圍，主要應用于使用環境惡劣的場合。在廣大研發人員的共同努力下，我公司自主開發出了高精度的MCXO，配以高度自動化的生產測試系統，其月產可以達到5000只。