真空光學(xué)鍍膜設(shè)備行業(yè)專家在線為您服務(wù),拉奇納米

多弧離子PVD鍍膜設(shè)備　　

腔體結(jié)構(gòu)：  立式前開門，臥式前開門，后置真空獲得系統(tǒng)　　

材質(zhì)用料：  腔體采用SUS304不銹鋼材質(zhì)　　

離子弧源：  依據(jù)設(shè)備大小不同配備多套弧電源系統(tǒng)　　

偏壓電源：  配備大功率單級脈沖偏壓電源　　

多弧靶材：  標配多套鈦靶或不銹鋼靶材　　

轉(zhuǎn)動系統(tǒng)： 變頻調(diào)速，公自轉(zhuǎn)結(jié)合，可采用上傳動或下傳動方式　　

真空系統(tǒng)（裝飾鍍膜設(shè)備Decorative coating）：擴散泵（可選分子泵） 羅茨泵 機械泵 維持泵 深冷系統(tǒng)（可選）

氣相沉積是一種在基體表面形成功能膜層的技術(shù)，它是利用物質(zhì)在氣相中產(chǎn)生的物理或(及)化學(xué)反應(yīng)而在產(chǎn)品表面沉積單層或多層的、單質(zhì)或化合物的膜層，從而使產(chǎn)品表面獲得所需的各種優(yōu)異性能。

氣相沉積作為一種表面鍍膜方法，其基本步驟有需鍍物料氣相化->輸運->沉積。它的主要特點在于不管原來需鍍物料是固體、液體或氣體，在輸運時都要轉(zhuǎn)化成氣相形態(tài)進行遷移，終到達工件表面沉積凝聚成固相薄膜。

PCVD工藝參數(shù)包括微觀參數(shù)和宏觀參數(shù)。微觀參數(shù)如電子能量、等離子體密度及分布函數(shù)、反應(yīng)氣體的離解度等。宏觀參數(shù)對于真空系統(tǒng)有，氣體種類、配比、流量、壓強、抽速等；對于基體來說有，沉積溫度、相對位置、導(dǎo)電狀態(tài)等；對于等離子體有，放電種類、頻率、電極結(jié)構(gòu)、輸進功率、電流密度、離子溫度等。以上這些參數(shù)都是相互聯(lián)系、相互影響的。

直流等離子體化學(xué)氣相沉積（DC-PCVD）

DC-PCVD是利用高壓直流負偏壓（-1～-5kV），使低壓反應(yīng)氣體發(fā)生輝光放電產(chǎn)生等離子體，等離子體在電場作用下轟擊工件，并在工件表面沉積成膜。

直流等離子體比較簡單，工件處于陰極電位，受其外形、大小的影響，使電場分布不均勻，在陰極四周壓降，電場強度，正由于有這一特點，所以化學(xué)反應(yīng)也集中在陰極工件表面，加強了沉積效率，避免了反應(yīng)物質(zhì)在器壁上的消耗。缺點是不導(dǎo)電的基體或薄膜不能應(yīng)用。由于陰極上電荷的積累會排斥進一步的沉積，并會造成積累放電，破壞正常的反應(yīng)。