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              NR74g 6000PY光刻膠公司質量材質上乘

              發布時間:2020-11-08 12:38  

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              光刻膠介紹

              光刻膠介紹

              光刻膠是一種對光線、溫度、濕度十分敏感的材料,可以在光照后發生化學性質的改變,這是整個工藝的基礎。

              光刻膠有不同的類型,PMMAPMGI)以及DNQ(酚醛樹脂)等材料都可以做光刻膠。

               目前光刻膠市場上的參與者多是來自于美國、日本、韓國等國家,包括 FUTURREX、陶氏化學、杜邦、富士膠片、信越化學、住友化學、LG化學等等,中國公司在光刻膠領域也缺少核心技術。

               


              NR9-3000PYNR74g 6000PY光刻膠公司

              五、曝光

              在這一步中,將使用特定波長的光對覆蓋襯底的光刻膠進行選擇性地照射。依照化學反應和顯影原理分類,光刻膠可以分為正性光刻膠和負性光刻膠。光刻膠中的感光劑會發生光化學反應,從而使正光刻膠被照射區域(感光區域)、負光刻膠未被照射的區域(非感光區)化學成分發生變化。這些化學成分發生變化的區域,在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。

              在接受光照后,正性光刻膠中的感光劑DQ會發生光化學反應,變為乙烯酮,并進一步水解為茚并羧酸(Indene-Carboxylic-Acid, CA),羧酸在堿性溶劑中的溶解度比未感光部分的光刻膠高出約100倍,產生的羧酸同時還會促進酚醛樹脂的溶解。據悉,經過項目組全體成員的努力攻關,完成了EUV光刻膠關鍵材料的設計、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實驗室光刻膠性能的初步評價裝備的研發,達到了任務書中規定的材料和裝備的考核指標。利用感光與未感光光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度,就可以進行掩膜圖形的轉移。

              曝光方法:

              a、接觸式曝光(Contact Printing)掩膜板直接與光刻膠層接觸。

              b、接近式曝光(Proximity Printing)掩膜板與光刻膠層的略微分開,大約為10~50μm。

              c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現曝光。

              d、步進式曝光(Stepper)


              NR9-3000PY

              11.請教~有沒有同時可以滿足RIE

              process 和Lift-off

              process的光阻,謝謝!

              A 我們推薦使用Futurrex

              NR1-300PY來滿足以上工藝的需求。

              12.Futurre光刻膠里,有比較容易去除的負光阻嗎?

              A NR9-系列很容易去除,可以滿足去膠需要。

              13.我們目前用干膜做窄板,解析度不夠,希望找到好的替代光阻?

              A NR9-8000因為有很高的AR比例,適合取代,在凸塊的應用上也有很大的好處。

              14.傳統的Color

              filter 制程,每個顏色的烘烤時間要2-3個小時,有沒有更快的方法制作Coior

              filter?

              A 用于Silylation制程------烘烤時間只需要2分鐘,同時光阻不需要Reflow, 顏色也不會老化改變,只需要在Filter上面加熱溶解PR1-2000S光阻,Microlenses就能形成!

              15.請問有專門為平坦化提供材料的公司嗎?

              A 美國Futurrex公司,專門生產應用化學品的,可以為平坦化的材料提供PC3-6000和PC4-1000都是為平坦化用途設計,臺灣企業用的比較多。

              16.我需要一種可用于鋼板印刷的方式來涂布PROTECTIVE

              COATING,那種適合??

              A 推薦美國Futurrex,PC4-10000。

              17.臘是用來固定芯片的,但很難清洗干凈,哪里有可以替代的產品介紹下,謝謝?

              A 我們公司是使用Futurrex

              PC3-6000,可以替代的,而且去除比較容易,你可以試用下。

              18.請問有沒有100微米厚襯底為鍍鎳硅并可用與MEMS應用的光刻膠嗎?

              A NR4-8000P可以做到140微米的厚度,并在鍍鎳的襯底上不會出現難去膠的問題,如果是其他非鍍鎳襯底NR9-8000P是適合的選擇。

              19.誰有用在光波導圖案的光刻膠?是否可以形成角度為30度的側壁?

              A 你必須實現通過逐步透光來實現掩膜圖案棱的印刷,NR4-8000P是專門為光波導圖案應用進行設計的產品。


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