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測量示例：

SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測量

半導體晶體管通過控制電流的導通狀態(tài)來發(fā)送信號，但是為了防止電流泄漏和另一個晶體管的電流流過任意路徑，有必要隔離晶體管，埋入絕緣膜。 SiO 2（二氧化硅）或SiN（氮化硅）可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜，而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數的絕緣膜，或是作為通過CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精準的工藝控制，有必要測量這些膜厚度。



 

考慮到表面粗糙度測量的膜厚值[FE-0007]

當樣品表面存在粗糙度（粗糙度）時，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模擬為“粗糙層”，可以分析粗糙度和膜厚度。此處示例了測量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況。

　膜厚儀在電氣安全方面按照要求正常使用儀器，就不會對人造成任何危險或損害。膜厚儀包含傳導線電壓的元件，它是按照準則的安全條款設計的。必須遵循儀器安全條款和準則有關儀器操作的規(guī)定！　　電源連接為避免損壞儀器,供電電壓必須與膜厚儀銘牌上的電壓一致。儀器必須使用三相插頭連到一個已接地的插座上。