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光纖傳輸特性參數測試

衰減的測試方法

衰減是光纖中光功率減少量的一種度量，它取決于光纖的性質和長度，并受測量條件的影響。衰減的主要測試方法如下：

●截斷法

截斷法是測量光纖衰減特性的基準試驗方法（RTM），在不改變注入條件時測出通過光纖兩橫截面的光功率，從而直接得到光纖衰減。

●損耗法

 損耗法是測量光纖衰減特性的替代試驗方法（ATM），原理上類似于截斷法，但光纖注入端的光功率是注入系統輸出端的出射光功率。測得的光纖衰減中包含了試驗裝置的衰減，必須分別用附加連接器損耗和參考光纖段損耗對測量結果加以修正。

●后向散射法

 后向散射法是測量光纖衰減特性的替代試驗方法（ATM），它測量從光纖中不同點后向散射至該光纖始端的后向散射光功率。這是一種單端測量方法。

線纜檢測設備導線直流電阻的測量：

 對電線電纜而言，導體部分是其的組成部分。電線電纜的導電線芯主要傳輸電能或電信號。

 導線的電阻是其電氣性能的主要指標，現在標準規定：檢測線芯的直流電阻或電阻率是否超過標準中的規定的值。

此項檢測的主要目的是發現生產工藝中的某些缺陷：如導線斷裂或其中部分單線斷裂；導線截面不符合標準；產品的長度不正確等。

 此外，對電力電纜而言，此項檢測不僅可以檢測出導體的狀況，還可以檢測出導體對電線電纜產品運行中允許的載流量是否有影響。

擊穿試驗是在一定的試驗條件下，升高電壓直到試品發生擊穿為止，測量擊穿場強或擊穿電壓。通過擊穿試驗可以考纜承受電壓的能力與工作電壓之間的安全裕度。擊穿場強時電纜設計中的重要參數之一。電纜在運行中一般承受的是交流電壓，但在直流輸電系統中及某些特殊場合也有承受直流電壓的，對于高電壓電纜還可能要遭受大氣電壓（雷電）和操作過電壓。因此，按實驗電壓波形的不同，可以分為1.交流（工頻）電壓、2.直流電壓、3沖擊電壓三種絕緣強度試驗。

CCD 與CMOS 圖像傳感器光電轉換的原理相同，他們的差別在于信號的讀出過程不同；由于CCD僅有一個（或少數幾個）輸出節點統一讀出，其信號輸出的一致性非常好；而CMOS 芯片中，每個像素都有各自的信號放大器，各自進行電荷-電壓的轉換，其信號輸出的一致性較差。但是CCD 為了讀出整幅圖像信號，要求輸出放大器的信號帶寬較寬，而在CMOS 芯片中，每個像元中的放大器的帶寬要求較低，大大降低了芯片的功耗，這就是CMOS芯片功耗比CCD 要低的主要原因。盡管降低了功耗，但是數以百萬的放大器的不一致性卻帶來了更高的固定噪聲，這又是CMOS 相對CCD 的固有劣勢。