等離子化學氣相沉積設(shè)備報價來電咨詢「沈陽鵬程」

方箱PECVD簡介

該系統(tǒng)為單室薄膜太陽電池等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設(shè)備，用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。

設(shè)備概述：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動前開門；

2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm；

3.極限真空度：≤6.67x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，35分鐘可達到

（采用分子泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)； 停泵關(guān)機12小時后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；

5.樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進口控溫表進行控溫；

6.噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào)；

7. 沉積工作真空：13-1300Pa；

8.氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

9.射頻電源：頻率 13.56MHz，功率500W，全自動匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體，共計使用7個質(zhì)量流量控制器控制進氣。

11. 系統(tǒng)設(shè)有尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。

以上就是關(guān)于方箱PECVD鍍膜產(chǎn)品的相關(guān)內(nèi)容介紹，如有需求，歡迎撥打圖片上的熱線電話或關(guān)注沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司！

化學氣相沉積的原理

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學氣相沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

化學氣相沉積技術(shù)是應(yīng)用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學反應(yīng)和傳輸反應(yīng)等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝，它大致包含三步：

（1）形成揮發(fā)性物質(zhì) ；

（2）把上述物質(zhì)轉(zhuǎn)移至沉積區(qū)域 ；

（3）在固體上產(chǎn)生化學反應(yīng)并產(chǎn)生固態(tài)物質(zhì) 。基本的化學氣相沉積反應(yīng)包括熱分解反應(yīng)、化學合成反應(yīng)以及化學傳輸反應(yīng)等集中。

等離子體化學氣相沉積

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司——專業(yè)脈沖激光沉積供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

等離子體化學氣相沉積簡稱PCVD，是一種用等離子體激發(fā)反應(yīng)氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。一般說來,采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團的混合物。等離子體化學氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應(yīng)氣體，利用等離子體放電，使反應(yīng)氣體激發(fā)并實現(xiàn)化學氣相沉積的技術(shù)。

PCVD工藝的具體流程

PCVD工藝的具體流程如下：

(1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進高純度石英玻璃沉積管內(nèi)的氣態(tài)鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設(shè)計要求的光纖芯中玻璃的組成成分。

(2)熔縮。沿管子方向往返移動的石墨電阻爐對小斷旋轉(zhuǎn)的管子加熱到大約2200℃，在表面張力的作用下，分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實心棒(預(yù)制棒)。

(3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當比例，將熔縮后的石英棒套入一根截面積經(jīng)過精心挑選的管子中，這樣裝配后即可進行拉絲。

(4)拉絲。套棒被安裝在拉絲塔的頂部，下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中，此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm)，并進行雙層涂覆和紫外固化。

(5)光纖測試。拉出的光纖要經(jīng)過各種試，以確定光纖的幾何、光學和機械性能。

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