多靶磁控濺射儀價格點擊了解更多 沈陽鵬程真空技術

磁控方箱生產線介紹

用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。　　

主要由真空室系統濺射室、靶及電源系統、樣品臺系統、真空抽氣及測量系統、氣路系統、電控系統、計算機控制系統及輔助系統等組成。　

技術指標：　　極限真空度6.7×10-5Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S；　　恢復真空時間：40分鐘可達6.6×10 Pa（短時間暴露　　大氣并充干燥氮氣后開始抽氣）　　

鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜；　　樣品基片: 負偏壓 -200V　　

樣品轉盤：在基片傳輸線上連續可調可控，在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉盤由伺服電機驅動，計算機控制其水平傳遞；　　

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統，計算機控制系統的功能：對位移和樣品公轉速度隨時間的變化做實時采集，對位移誤差進行計算，以曲線和數值顯示。樣品公轉速度對位移曲線可在線性和對數標度兩種顯示之間切換，可實現換位鍍膜。

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直流磁控濺射技術的原理

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直流磁控濺射技術其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發生彎曲甚至產生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優點。

磁控濺射鍍膜設備的主要用途

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1.各種功能性的薄膜鍍膜。所鍍的膜一般能夠吸收、透射、反射、折射、偏光等效果。

2.時裝裝飾領域的應用，比如說各種全反射鍍膜以及半透明鍍膜，可適用在手機外殼、鼠標等產品上。

3.微電子行業領域中，其是一種非熱式鍍膜技術，主要應用在化學氣象沉積上。

4.在光學領域中用途巨大，比如說光學薄膜(如增透膜)、低輻射玻 璃和透明導電玻璃等方面得到應用。

5.在機械行業加工中，其表面功能膜、超硬膜等等。其作用能夠提供物品表面硬度從而提高化學穩定性能，能夠延長物品使用周期。