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黑碳化硅微粉粘渣與哪些因素有關(guān)？

      由被測(cè)爐渣粘度和溫降關(guān)系可以看出，隨溫度下降，粘度不斷增大，當(dāng)溫降至臨界點(diǎn)時(shí)，黑碳化硅微粉粘度變化出現(xiàn)明顯拐點(diǎn)，在該點(diǎn)，爐渣失去流動(dòng)性，是典型的堿性渣--短渣或不穩(wěn)定性渣，在高溫區(qū)域時(shí)，溫度降低粘度只稍有增大，但降至一定溫度粘度突然急劇增大，凝固過(guò)程的溫度范圍較窄。堿性渣的結(jié)晶性能強(qiáng)，在接近液相線(xiàn)溫度時(shí)仍有大量晶體析出，熔渣變成非均相使得粘度迅速增大，掛渣現(xiàn)象增加。

　　精煉方式不同，包渣成分也不相同，在這個(gè)多元組分渣體中，凝固生成礦物相形同，這些礦物都具有高熔點(diǎn)，容易析晶凝固，在液態(tài)的渣池中，局部或者大面積溫降等因素變化。達(dá)到礦物相析晶臨界點(diǎn)時(shí)，瞬間結(jié)晶凝固。粘度增大，失去流動(dòng)性，停留并粘附在包襯上，澆注結(jié)束后，鋼包溫降達(dá)到，上述粘渣過(guò)程進(jìn)行快，并且溫降時(shí)間越長(zhǎng)，高熔點(diǎn)礦物相生成越多，粘渣幾率越大。

黑碳化硅中硅的測(cè)定

1、檢測(cè)辦法：硅的含量需要原子吸收檢測(cè)，這種方法檢測(cè)，數(shù)值較。

2、黑碳化硅檢測(cè)需要顆粒分析儀。可以分析顆粒形狀系數(shù) 圓度。

3、黑碳化硅徑需要電阻法顆粒分析儀，這樣的話(huà)。

4、微粉的主要分析檢測(cè)方法：碳化硅中硅的含量決定碳化硅的硬度。碳化硅的粒徑大小對(duì)線(xiàn)切割影響很大，但的是碳化硅的顆粒形狀。因?yàn)榫€(xiàn)切割時(shí)碳化硅為游離狀態(tài)切割顆粒的形狀變化對(duì)切割效率及切割質(zhì)量要重要影響。

黑碳化硅的制作工藝   

     黑碳化硅（SiC）因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過(guò)一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，它所具有的導(dǎo)電性使其成為一種重要的電加熱元件等。

　　制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱(chēng)：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱(chēng)為：金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂（也稱(chēng)：石榴子石）的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經(jīng)過(guò)粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料（為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠黑碳化硅時(shí)還要添加適量）經(jīng)高溫制備而成。

　　高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是的黑碳化硅電爐，其結(jié)構(gòu)由爐底、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻、爐心體（全稱(chēng)為：電爐中心的通電發(fā)熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連）等組成。

　　該電爐所用的燒成方法俗稱(chēng)：埋粉燒成。它一通電即為加熱開(kāi)始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高（2600～2700℃），爐料達(dá)到1450℃時(shí)開(kāi)始合成SiC（但SiC主要是在≥1800℃時(shí)形成），且放出co。然而，≥2600℃時(shí)SiC會(huì)分解，但分解出的si又會(huì)與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產(chǎn)時(shí)只對(duì)單一電爐供電，以便根據(jù)電負(fù)荷特性調(diào)節(jié)電壓來(lái)基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應(yīng)基本結(jié)束，再經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的冷卻就可以拆除側(cè)墻，然后逐步取出爐料。

　　制備黑碳化硅主要是通過(guò)在高溫條件下冶煉石英、石焦油的方法進(jìn)行，因此對(duì)溫度的需求較高，如果溫度達(dá)不到需求就會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)，所以企業(yè)要熟練掌握這一技術(shù)。

黑碳化硅氧化的原因

       黑碳化硅材料在普通條件下（如大氣1000℃-2000℃）具有較好的性能，這是由于在高溫條件下，材料表面形成了一層非常薄的、致密的、與基體集合牢固的SiO2膜，氧在SiO2氧化膜中的擴(kuò)散系數(shù)非常小，因此材料的氧化非常緩慢。材料在這種富氧條件下的緩慢氧化稱(chēng)為惰性氧化。但在某些條件下，如在足夠高的溫度下或較低的氧分壓下，SiC轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性的SiO2保護(hù)膜被環(huán)境腐蝕，這將導(dǎo)致材料被快速氧化，即產(chǎn)生活性氧化。而硅材料在使用過(guò)程中經(jīng)常會(huì)遇到這種環(huán)境。到目前為止，對(duì)材料在高溫、氧化氣氛中，硅材料表面會(huì)生成致密的SiO2膜，它的反應(yīng)為：

　　SiC 3/2O2→ SiO2 CO

　　SiC 2O2 →Sio2 CO2

　　表層SiC到SiO2的轉(zhuǎn)變導(dǎo)致材料的凈重增加。這是惰性氧化的特性之一。但是研究表明，SiC的早期氧化產(chǎn)物為玻璃臺(tái)態(tài)SiO2膜。隨著氧化溫度的升高，約800~1140℃，玻璃態(tài)SiO2膜發(fā)生晶化。相變將產(chǎn)生體積變化，這使得SiO2保護(hù)膜結(jié)構(gòu)變得疏松，進(jìn)而同黑碳化硅基體集合不牢。這樣，其氧化保護(hù)作用驟減。另外，當(dāng)黑碳化硅材料循環(huán)使用時(shí)，由于SiO2在500℃以下熱膨脹系數(shù)變化較大，而基材的熱膨脹系數(shù)變化不大，這樣，保護(hù)膜與基材間熱應(yīng)力變化較大，保護(hù)膜易。對(duì)于空隙較多的制品，如氮化硅結(jié)合材料，會(huì)發(fā)生晶界頸部氧化，產(chǎn)生的SiO2導(dǎo)致晶界處體積膨脹，膨脹應(yīng)力將會(huì)導(dǎo)致制品破壞：的惰性氧化會(huì)產(chǎn)生氣體產(chǎn)物，這將產(chǎn)泡現(xiàn)象，使SiO2膜的氧化保護(hù)作用減小。

　　黑碳化硅出現(xiàn)氧化主要是由于高溫或低氧分壓的狀況下導(dǎo)致其表層被外界侵蝕且發(fā)生反應(yīng)，所以為了保證其使用效果就需要我們?cè)谑褂脮r(shí)嚴(yán)格把控溫度和環(huán)境等外界因素，從而確保材料的優(yōu)良屬性不會(huì)被破壞。