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              山東低壓降肖特基二極管的行業須知「強元芯電子」

              發布時間:2021-09-11 18:22  

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              了解了肖特基二極管的基本原理,那你知道肖特基勢壘二極管的內部結構是怎樣的嗎?接下來就由ASEMI專業技術工程師為您解析這一問題。

              典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片,在上面形成用shen作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區域的電場,提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。


              肖特基二極管的弱點和避免事項


              肖特基二極體的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大,像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體,其反向偏壓額定耐壓只到 50V,而反向漏電流值為正溫度特性,容易隨著溫度升高而急遽變大,實務設計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題,肖特基二極體實際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過肖特基二極體的技術也已有了進步,其反向偏壓的額定值可以到200V。

              ASEMI高壓SBD

              長期以來,在輸出12V~24V的SMPS中,次級邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V~48V的SMPS中,只有選用200V~400V的FRED。設計者迫切需要介于100V~200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來,美國IR公司和APT公司以及ST公司瞄準高壓SBD的巨大商機,先后開發出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結構上增加了PN結工藝,形成肖特基勢壘與PN結相結合的混合結構



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