肖特基二極管廠家價格合理「在線咨詢」

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接下來我們將一起看一下ASEMI肖特基二極管和超快恢復二極管、快恢復二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關二極管的性能比較。

在頻率上，肖特基二極管大于超快恢復二極管大于快恢復二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關二極管；

在電流范圍上，肖特基二極管大于超快恢復二極管大于快恢復二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關二極管；

在耐壓限制范圍上，肖特基二極管小于超快恢復二極管小于快恢復二極管小于硅高頻整流二極管小于硅高速開關二極管；

由表可見，硅高速開關二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。

為解決SBD在高溫下易產生由金屬-半導體的整流接觸變為歐姆接觸而失去導電性這一肖特基勢壘的退化問題，ASEMI通過退火處理，形成金屬-金屬硅化物-硅勢壘，從而提高了肖特基勢壘的高溫性能與可靠性。

ASEMI生產的肖特基二極管全部采用俄羅斯米克朗大芯片，產品系列通過歐盟rosh以及美國ul認證，銷售覆蓋全球。

為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結合、高/低勢壘雙金屬溝槽(DMT)結構的SiCSBD設計方案是可行的。采用這種結構的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護環的6H-SiCSBD，擊穿電壓達550V。