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發布時間：2020-11-27 20:07
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ASEMI肖特基二極管新品介紹——
SBD的主要優點包括兩個方面:
1)由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低(約低0.2V)。
2)由于SBD是一種多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同于PN結二極管的反向恢復時間。由于SBD的反向恢復電荷非常少，故開關速度非常快，開關損耗也特別小，尤其適合于高頻應用。
SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關系到系統效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度，這是相矛盾的。因此，對勢壘金屬必須折衷考慮，故對其選擇顯得十分重要。對N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢壘金屬。由于Ni/SiC的勢壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。
為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結合、高/低勢壘雙金屬溝槽(DMT)結構的SiCSBD設計方案是可行的。采用這種結構的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護環的6H-SiCSBD，擊穿電壓達550V。
關于肖特基MBR系列
為什么國際通用常見的肖特基二極管都以"MBR"字頭命名？
因為最早是世界半導體公司-摩托羅拉半導體命名的產品型號
M:是以最早MOTOROLA的命名，取M
B:Bridge 橋；Barrier:勢壘
R:Rectifier,整流器 "MBR"意為整流器件
SCHOTTKY:肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES:肖特基整流二極管。
例如：MBR20100CT
M:MOTOROLA 縮寫M
B:Barrier1 縮寫B
R:Rectifier 縮寫R
20:電流20A
100:電壓100V
C:表示TO-220AB封裝，常指半塑封。
T:表示管裝
