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              多靶磁控濺射儀報(bào)價(jià)咨詢客服「沈陽鵬程」

              發(fā)布時(shí)間:2021-04-23 05:57  

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              小型磁控濺射儀的優(yōu)勢(shì)

              設(shè)備主要優(yōu)勢(shì)    

              實(shí)用性:設(shè)備集成度高,結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小,可以滿足客戶實(shí)驗(yàn)室空間不足的苛刻條件;通過更換設(shè)備上下法蘭可以實(shí)現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換,實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用;

              方便性:設(shè)備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式,接線及安裝調(diào)試簡單,既保證了設(shè)備使用方便又保證了設(shè)備的整潔;

              高性價(jià)比:設(shè)備主要零部件采用進(jìn)口或國內(nèi)品牌,以國產(chǎn)設(shè)備的價(jià)格擁有進(jìn)口設(shè)備的配置,從而保證了設(shè)備的質(zhì)量及性能;

              安全性:獨(dú)立開發(fā)的PLC 觸摸屏智能操作系統(tǒng)在傳統(tǒng)操作系統(tǒng)的基礎(chǔ)上新具備了漏氣自檢與提示、通訊故障自檢、保養(yǎng)維護(hù)提示等功能,保證了設(shè)備的使用安全性能;

              期望大家在選購磁控濺射產(chǎn)品時(shí)多一份細(xì)心,少一份浮躁,不要錯(cuò)過細(xì)節(jié)疑問。想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)資訊,歡迎撥打圖片上的熱線電話!!!



              磁控濺射的種類介紹

              磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn):利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行,從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

              靶源分平衡式和非平衡式,平衡式靶源鍍膜均勻,非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜,非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同,大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等,兩極磁力線閉合于靶面,很好地將電子/等離子體約束在靶面附近,增加了碰撞幾率,提高了離化效率,因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電,靶材利用率相對(duì)較高。具有一體化、占用空間小、靈活的特點(diǎn),無需380V工業(yè)電,無需額外冷水機(jī),采用無油干泵分子泵組,無需操心真空系統(tǒng)和操作間環(huán)境泵油污染。

              但由于電子沿磁力線運(yùn)動(dòng)主要閉合于靶面,基片區(qū)域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術(shù),即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極,兩極磁力線在靶面不完全閉合,部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域,從而部分電子可以沿著磁力線擴(kuò)展到基片,增加基片磁控濺射區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡,若磁鐵靜止,其磁場(chǎng)特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率,可采用旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)。但旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)需要旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),同時(shí)濺射速率要減小。旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)多用于大型或貴重靶,如半導(dǎo)體膜濺射。對(duì)于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備,多用磁場(chǎng)靜止靶源。1-10Pa的氣或其它惰性氣體,在陰極(靶)1-3KV直流負(fù)高壓或13。

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              濺射鍍膜

              濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常,利用低壓惰性氣體輝光放電來產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成,基片作為陽極,真空室中通入0.1-10Pa的氣或其它惰性氣體,在陰極(靶)1-3KV直流負(fù)高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的離子轟擊靶表面,使得靶原子濺出并沉積在基片上,形成薄膜。濺射方法很多,主要有二級(jí)濺射、三級(jí)或四級(jí)濺射、磁控濺射、對(duì)靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對(duì)稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。磁場(chǎng)大,束縛的自由電子增多,濺射速率增大,磁場(chǎng)小,束縛的自由電子就少,濺射速率降低。

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              濺射鍍膜的特點(diǎn)

              濺射就是從靶表面撞擊出原子物質(zhì)的過程。濺射產(chǎn)生的原子或分子沉積到基體(零件)表面的過程就是濺射鍍膜。

              濺射鍍膜與真空鍍膜相比,有如下特點(diǎn):

              1.任何物質(zhì)都可以濺射, 尤其是高熔點(diǎn)金屬、低蒸氣壓元素和化合物;

              2.濺射薄膜與襯底的附著性好;

              3.濺射鍍膜的密度高,孔少,膜層純度高;

              4.膜層厚度可控性和重復(fù)性好。

              以上就是為大家介紹的全部內(nèi)容,希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的知識(shí),歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。







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