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（1）化學氣相沉積（CVD）反應溫度一般在900~1200℃，中溫CVD例如MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積），反應溫度在500~800℃。若通過氣相反應的能量，還可把反應溫度降低。

（2）常壓化學氣相沉積（NPCVD）或大氣壓下化學氣相沉積（APCVD）是在0.01—0.1MPa壓力下進行，低壓化學氣相沉積（LPCVD）則在10-4 MPa下進行。CVD或輝光放電CVD，是低壓CVD的一種形式，其優點是可以在較低的基材溫度下獲得所希望的膜層性能。

CVD法具有如下特點：可在大氣或低于大氣壓下進行沉積金屬、合金、陶瓷和化合物涂層，能在形狀復雜的基體上或顆粒材料上沉積涂層。涂層的化學成分和結構較易準確控制，也可制備具有成分梯度的涂層。

涂層與基體的結合力高，設備簡單操作方便，但它的處理溫度一般為900-1200℃，工件被加熱到如此高的溫度會產生以下問題：

（1）工件易變形，心部組織惡化，性能下降。

（2）有脫碳現象，晶粒長大，殘留奧氏體增多。

（3）形成ε相和復合碳化物。

（4）處理后的母材必須進行淬火和回火。

（5）不適用于低熔點的金屬材料。

PCVD工藝參數包括微觀參數和宏觀參數。微觀參數如電子能量、等離子體密度及分布函數、反應氣體的離解度等。宏觀參數對于真空系統有，氣體種類、配比、流量、壓強、抽速等；對于基體來說有，沉積溫度、相對位置、導電狀態等；對于等離子體有，放電種類、頻率、電極結構、輸進功率、電流密度、離子溫度等。以上這些參數都是相互聯系、相互影響的。