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在負載RL中有電流流過，其電流大小取決于光電靶在該單元的電阻值大小。光照強處對應阻值較小，流過負載RL的電流就較大，因而RL兩端產生的壓降也就較大。負載電阻RL上形成電壓就是攝像管輸出的圖像信號。1產生電場的方式很多如PN接面、金屬半導體接面等，其中最1常用的方式為PN接面。光電轉換過程（圖像的攝取過程）：被攝景物通過攝像機的光學鏡頭在光電靶上成像，被電子束將這幅圖像分解為像素，同時把各個像素的亮度轉變為在負載電阻RL上大小不同的電壓降，從而形成攝像管輸出信號。

半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。載流子就是由半導體原子 逸出來的電子及其留下的空位----- 空穴。電從原子中逃逸出來,必須吉兇服原子的束縛而做功，而光照正是向電子提供能量,使它有能力逃逸出來的一種形式。因此，光照可以改變載流子的濃度,從而必變半導體的電導率。光電導器件主要有光敏電阻、光電二極管光電三極管等。光伏效應在19世紀即被發現，早期用來制造硒光電池，直到晶體管發明后半導體特性及相關技術才逐漸成熟，使太陽光電池的制造變為可能。1、光敏電阻這是一種半導體電阻。在沒有光照時,電阻很大;在一定波長范圍的光照下,電阻值明顯變小。

光電控制器件----用作光電開關等光電控制設備的轉換器件。三、半導體發光器件半導體發光器件是一種將電能轉換成光能的器件。它包括發光二極管、紅外光源、半導體發光數字管等。1、發光二極管發光二極管的管芯也是一個PN結,并具有單向導電性。PN結加上正向電壓時,電子由N區渡越(擴散)到空間電荷區與空穴復合而釋放出能量。自光電效應發現至今，光電轉換器件獲得了突飛猛進的發展，目前各種光電轉換器件已廣泛地應用在各行各業。這些能量大部分以發光的形式出現，因此，可以直接將電能轉換成光能。

如果入射光強度太高，導致器件內電流太大，以至于電陰極和倍增極因發射二分解，就會造成光電倍增管的永1久性波壞。因此，使用光電倍增管時，應避免強光直接入射。光電倍增管一般用來測弱光信號。光電池是把光能直接變成電能的器件，可作為能源器件使用，如衛1星上使用的太陽能電池。它也可作為光電子探測器件。3、光電耦合器把半導體發光器件和光敏器件組合封閉裝在一起就組成了具有電---光---電轉換功能的光電耦合器。光電二極管有耗盡層光電二極管和雪崩光電二極管兩種。半導體pn結區附近成為耗盡層，該層的兩側是相對高的空間電荷區，而耗盡層內通常情況下并不存在電子和空穴。