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由于半導體泵浦的轉換，模式好，更易聚焦出高能量的更小面積的光點，標記同樣的物體時，其所需的外部能量會更小。具有掃描角度大、峰值力矩大、負載慣量大、機電時間常數小、工作速度快、穩定可靠等優點。同時其產生的廢熱也遠遠小于燈泵浦激光器，決定了其不需要燈泵浦激光器那樣龐大的冷卻系統。所以半導體泵浦的激光器系統的功耗比燈泵浦小得多。

一個50W的燈泵浦激光打標機的功耗在6KW左右，而一個50W半導體激光標記機的功耗只在2KW左右，以三年為例，一天工作24小時，一個月工作28天，一度工業用電1.1元，光耗電一項，一臺半導體激光器就比一臺燈泵浦激光器節省（6-2）KW*24小時*28天*12月*3年*1.1/度=10.645萬 元！CO2激光打標機：采用CO2氣體充入放電管作為產生激光的介質，在電極上加高電壓，放電管中產生輝光放電，致使使氣體分子釋放出激光，將激光能量放大后就形成對材料加工的激光束。

激光打標技術作為一種現代精密加工方法,與腐蝕,電火花加工,機械刻劃,印刷等傳統的加工方法相比,具有的優勢：

1．采用激光做加工手段,與工件之間沒有加工力的作用,具有無接觸,無切削力,熱影響小的優點,保證了工件的原有精度。同時,對材料的適應性較廣,可以在多種材料的表面制作出非常精細的標記且耐久性非常好；

2．激光的空間控制性和時間控制性很好,對加工對象的材質,形狀,尺寸和加工環境的自由度都很大,特別適用于自動化加工和特殊面加工。且加工方式靈活,既可以適應實驗室式的單項設計的需要,也可以滿足工業化大批量生產的要求；

3．激光刻劃精細,線條可以達到毫米到微米量級,采用激光標刻技術制作的標記仿造和更改都非常困難,對產品防偽極為重要；

可以說，在起步階段我國的激光技術發展迅速，無論是數量還是質量，都和當時國際水平接近，一項創新性技術能夠如此迅速趕上世界先進行列，在我國近代科技發展并不多見。如果不在大電流處工作，可以適當調高制冷機制冷溫度（但不得高于25℃）務必在規定的環境內使用激光器系統設備（南方操作環境應加裝空調）。這些成績的取得，尤其是能夠把物理設想、技術方案順利地轉化成實際激光器件，主要得力于光機所多年來在技術光學、精密機械和電子技術方面積累的綜合能力和堅實基礎。一項新技術的開發，沒有足夠的技術支撐是很難形成氣候的。

激光科技事業從一開始就得到了領導和科學管理部門的高度重視。當時副院長張勁夫提出建立專業激光研究所的設想，很快得到國家科委、國家計委的批準。主管科技的副還特別批示：研究所要建在上海，上海有較好的工業基礎，有利于發展這一新技術。

新型激光器 兩種高功率連續波化學激光器，3.8微米的氟激光器（DF）和1.315微米短波長氧碘激光器（COIL），均取得突破性進展，功率和光束質量僅次于美國，達到當前國際水平。采用CO2氣體激光管、擴束聚焦光學系統和高速振鏡掃描器，性能穩定，長壽命，免維護2。 X射線激光方面，碰撞機制的類鍺軟X射線激光（波長為23.2納米和23.6納米）達到增益飽和并具有近衍射極限的光束質量，居水平；復合泵浦X射線激光研究獲得一系列國際 報道的新譜線，并向短波長推進到4.68納米。自由電子激光器和多波長可調諧激光也取得了可喜進展。

4.中國牌新晶體走向世界 我國發明的BBO、LBO晶體，以及KTP、鈦寶石等晶體以優異的質量在國際市場享有盛譽并占有一定的份額。