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發(fā)布時間：2021-10-19 07:28
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關(guān)于電容器的知識
電容縮寫為電容，用字母 C表示。
定義1：電容器，顧名思義，是一個“裝電的容器”，它是一種儲存電荷的裝置。英文名字： capacitor。在電子設(shè)備中，電容被廣泛地應(yīng)用于電子器件中，如隔直、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路、能量轉(zhuǎn)換、控制電路等。
定義2：電容器，任何兩個彼此絕緣并且隔得很近的導(dǎo)體(包括導(dǎo)線)之間都構(gòu)成電容器。
電容器/鋁電解電容器
真空容器/漆膜電容器
復(fù)合型電容器/玻璃釉電容器
有機薄膜電容器/導(dǎo)電塑料電位計
紅外線熱敏電阻/氣體電阻
瓷瓶/鉭電容器
紙介電容器/電子電位計
磁電阻電位計/濕敏電阻
感光電阻電位計/固定電阻
變阻器/排電阻器
其他電阻/電位計/熔斷電阻/電位計
運行中的電容器的維護
1、電容器應(yīng)有當(dāng)班人員，應(yīng)做好設(shè)備運行記錄。
2、運行電容器組外觀巡檢，按規(guī)范規(guī)定每日進行，如發(fā)現(xiàn)外殼膨脹應(yīng)停止使用，以免出現(xiàn)故障。
3、檢查電容器組的每相負載可用電流表。
4、投入電容器組時，環(huán)境溫度不能低于-40℃，工作環(huán)境溫度1小時，平均不超過40℃，2小時平均不能超過30℃，且一年平均不能超過20℃。如果超出要求，使用人工冷卻(安裝風(fēng)扇)或?qū)㈦娙萜鹘M與電網(wǎng)分開。
5、安裝地點的溫度檢查和電容器外殼熱溫度的檢查可以通過溫度計等方式進行，并記錄溫度(尤其在夏季)。
電容器的工作電壓和電流，在使用中，其額定電壓不能超過1.1倍，額定電流1.3倍。
7、在接通電容器后，會造成電網(wǎng)電壓升高，尤其是負荷較輕的情況下，應(yīng)將部分電容器或所有電容器從電網(wǎng)中切斷。
電容器殼體和支撐絕緣子表面應(yīng)清潔、無損傷、無放電痕跡，電容器外殼應(yīng)清潔、不變形、不滲油，電容器及鐵架的表面不得有灰塵及其它污物。
電子器件損壞特性概述
一、電阻損壞特性
電阻器是數(shù)量的電子設(shè)備，但并非損壞率高的元件。電阻性損傷以開路為常見，阻值變大是罕見的，阻值變小也很少見。常用的有碳膜電阻、金屬膜電阻、線繞電阻、保險電阻等。
頭兩種電阻應(yīng)用，破壞特性如下：一是低阻值(100Ω以下)和高阻值(100 kΩ以上)損壞率較高，中間阻值(如幾百歐至幾十千歐)損壞；二是低阻值電阻損壞時往往是燒焦發(fā)黑，很容易發(fā)現(xiàn)，而高阻值電阻損壞時很容易發(fā)現(xiàn)。
線繞電阻通常用于大電流限制，但阻值不大。圓筒形線繞電阻燒壞后有些會發(fā)黑或表面爆皮、裂紋，有些無痕。水阻是線繞電阻的一種，燒壞后可能會斷裂，否則沒有任何可見痕跡。保險絲電阻燒壞的時候有些表面會炸掉一塊皮，有些也沒有任何痕跡，但不會變黑。基于上述特點，在檢測電阻時可著重于快速找到損壞電阻。
二、電解電容損壞特點
電容器在電氣設(shè)備中的用量很大，故障率很高。電解質(zhì)損壞主要表現(xiàn)為：
一是容量完全損失或容量減少；
二為輕度或嚴(yán)重漏電；
三是容量損失或容量變小兼有漏電。
三、二極管，三極管等半導(dǎo)體器件損壞特性
三極管的損壞一般為 PN結(jié)擊穿或開路，其中以擊穿短路為主。另外，還存在兩種損壞表現(xiàn)：
，熱穩(wěn)定性變差，表現(xiàn)為通電時正常，一段時間后發(fā)生軟擊穿；
二是 PN結(jié)的性質(zhì)變差，用萬用表 R×1 k測得，所有 PN結(jié)都正常，但是上機后，不能正常工作，如果用 R×10或 R×1低量程檔測， PN結(jié)正向阻值比正常值大。
四、集成電路損害特征
IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，有很多功能，其中任何一部分損壞不能正常工作。IC有兩種損壞：完全損壞，熱穩(wěn)定性差。當(dāng)一個電路完全損壞時，可以拆開它，和一般同型號的集成電路比較，測其每個針對地的正反兩個電阻，總能發(fā)現(xiàn)一個或幾個管腳阻值異常。對于熱穩(wěn)定性差的，可以在設(shè)備工作時，用無水酒精冷卻集成電路，如果故障出現(xiàn)延遲或不再發(fā)生故障，就可以判定。一般只能更換新集成電路來排除。
談?wù)摕衢T的太赫茲芯片
在太赫茲芯片相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施方面，與太赫茲技術(shù)相關(guān)的芯片通常采用成熟的工藝，比如今年 ISSCC的八篇，全部采用28 nm和以前的工藝(大部分采用65 nm工藝)，這是因為先進工藝的器件特性對于太赫茲技術(shù)來說并不是很大。他說：“我們預(yù)計，未來太赫茲芯片的芯片工藝將逐漸向28 nm轉(zhuǎn)移，但不能使用16 nm以下。其結(jié)果是，中國的太赫茲芯片不受半導(dǎo)體工藝的限制。
但在半導(dǎo)體工藝之外，中國在太赫茲芯片領(lǐng)域的基礎(chǔ)設(shè)施在 EDA領(lǐng)域落后。目前太赫茲 EDA主要利用 Ansys的 HFSS做無源器件(以及波導(dǎo))模擬，同時將電路級有源器件的常用模擬 Cadence的 SpectreRF集成起來。這方面，中國的 EDA技術(shù)與世界水平相比還有不少差距。
在太赫茲芯片設(shè)計領(lǐng)域，中科院上海微系統(tǒng)所、中電38所、50所等科研機構(gòu)都有相關(guān)投入。另外，在太赫茲芯片商用化領(lǐng)域，一些中國的創(chuàng)業(yè)公司也正在努力。舉例來說，以太赫茲安檢成像技術(shù)為主導(dǎo)的新公司微度芯創(chuàng)公司，已有80 GHz雷達芯片量產(chǎn)，160 GHz雷達芯片已完成驗證，240 GHz雷達芯片正在設(shè)計中，預(yù)計在未來幾年內(nèi)其產(chǎn)品將會進入下一代基于太赫茲成像的高通量安檢產(chǎn)品，值得我們期待。當(dāng)太赫茲技術(shù)進一步成熟時，我們相信中國的相關(guān)芯片領(lǐng)域也會越來越多。這個領(lǐng)域并非完全陌生，很多設(shè)計技巧和毫米波電路和系統(tǒng)都可以說是一脈相承的，除此之外，中國還有很大的安全檢測市場，所以我們認為中國在未來太赫茲芯片設(shè)計領(lǐng)域?qū)澜绲某绷鳌?
