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采用這種結構的SBD，擊穿電壓由PN結承受。通過調控N-區(qū)電阻率、外延層厚度和P 區(qū)的擴散深度，使反偏時的擊穿電壓突破了100V這個長期不可逾越的障礙，達到150V和200V。在正向偏置時，高壓SBD的PN結的導通門限電壓為0.6V，而肖特基勢壘的結電壓僅約0.3V，故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。

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