陽東數字電壓表常用解決方案 電子驅動ic電機驅動

IC半導體的基礎知識(一)

一、物理基礎    所有物質按照導電能力的差別可分為導體、半導體和絕緣體三類。半導體材料的導電性能介于導體和絕緣體之間。或者說，半導體是介于導體和絕緣體之間的物質。常用的半導體材料有：元素半導體硅(Si)和鍺(Ge)、化合物半導體(GaAs)等。導體的電阻率在10-4Ω?cm以下，如銅的電阻率為1.67×10-6 Ω?cm，絕緣體的電阻率在1010 Ω?cm以上，半導體的電阻率在10-3Ω?cm～109Ω?cm之間，與導體的電阻率相比較，半導體的電阻率有以下特點。在通訊與信息技術中，當把范圍局限到硅集成電路時，芯片和集成電路的交集就是在“硅晶片上的電路”上。

1.對溫度反映靈敏

導體的電阻率隨溫度的升高略有升高，如銅的電阻率僅增加0.4%左右，但半導體的電阻率則隨溫度的上升而急劇下降，如純鍺，溫度從20℃上升到30℃時，電阻率降低一半左右。

2.雜質的影響顯著

金屬中含有少量雜質其電阻率不會發生顯著變化，但是，極微量的雜質摻在半導體中，會引起電阻率的極大變化。如在純硅中加入百萬分之一的硼，就可以使硅的電阻率從2.3×105 Ω?cm急劇減少到0.4 Ω?cm左右。

3.光照可以改變電阻率

例如，有些半導體(如)受到光照時，其導電能力會變得很強；當無光照時，又變得像絕緣體那樣不導電，利用這種特性可以制成光敏元件。而金屬的電阻率則不受光照的影響。

溫度、雜質、光照對半導體電阻率的上述控制作用是制作各種半導體器件的物理基礎。

數字IC應用驗證方真技術研究

應用驗證是指導IC元器件在系統中的可靠應用的關鍵,重點要關注應用系統對器件接口信號的影響,因此無論是采用純軟件還是軟硬件協同的方式進行應用驗證都需要先完成應用系統的PCB工作。本文提出的應用驗證技術方案以基IBIS模型在多個平臺進行PCB SI(Signal Integrity)的方式提取出所需的數據,實現對系統應用環境的模擬;在此基礎上通過軟件和軟硬件協同兩種方法來實現數字IC器件的應用驗證。為保證應用驗證的順利進行,對方案中涉及到的IBIS建模、PCB SI和S參數的提取及等技術進行了研究。虛接口可以定義為類的一個成員，可以通過構造函數的參數或者過程進行初始化。

提出的應用驗證技術方案的指導下,以SRAM的應用驗證為例進行了相關的技術探索。首先對IBIS模型建模技術進行了深入研究,并完成了SRAM以及80C32等相關IC器件的IBIS模型建模工作;接著基于IBIS模型進行PCB SI,模擬了SRAM的板級應用環境并提取了應用驗證所需的數據;后分別對適用于SRAM的軟件平臺和軟硬件協同平臺進行了相關設計,并完成了SRAM的應用驗證。通過對SRAM的應用驗證,證明了本文所提出的應用驗證技術方案的可行性。net）更重要的是，藉由這個方法可以增加Gate端和下層的接觸面積。

IC設計方案行業的盆友都了解，數字集成電路所追求的并并不是加工工藝連接點。只是加工工藝，設計方案，板圖，實體模型，封裝這些全部全產業鏈上邊每個一部分的融合。而數字電路設計所追求的大量的則是系統架構圖，優化算法的提升，針對加工工藝則是無止盡的追求圖形界限少，功能損耗少，傳送延遲時間少。不管是在空氣流通的熱帶區域中，還是在潮濕的區域中運輸，潮濕都是顯著增加電子工業開支的原因。

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