風力發電用IGBT測試儀廠家廠家供應「華科智源」

測量目的：對模塊的電壓降參數進行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會逐漸劣化。因此，定期檢測可預防發現功率模塊故障。且變流器由多個模塊組成，由于個體差異，大電流情況下的參數也會存在個體差異。01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0。因此，測量大電流情況下的各個模塊實際技術參數，進行跟蹤管理，可有效保障機車中間直流環節可靠運行。 IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

華科智源IGBT測試儀制造標準 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術規格書的要求外，在其設計、制造、試驗、檢定等制程中還應滿足以下標準的版本。3半導體變流器變壓器和電抗器 GB/T4023-1997半導體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管。 GB/T 29332-2012 半導體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導則 GB19517-2004 國家電器設備安全技術規范 GB 4208-2008 外殼防護等級（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標志 GB/T 15139-1994 電工設備結構總技術條件 GB/T 2423 電工電子產品環境試驗 GB/T 3797-2005 電氣控制設備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設計和使用 GB/T 9969-2008 工業產品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術用文件的編制 GB/T 3859.3 半導體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換.中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數據便稱為此元件的參數。...等領域，使半導體開發技術人員在市場需求下，對大功率元件的發展技術，持續在突破。

主要參數 測試范圍 精度要求 測試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開通/關斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；