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              發布時間:2021-01-20 21:04  

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              視頻作者:蘇州振鑫焱光伏科技有限公司






              電池片的檢驗

              振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:高價回收硅片,電池片,初級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽能電池,光伏組件,太陽能電池板,客戶撤退,降級,庫存,El,不良測試,二手,舊,工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實驗板,債務償還,返工,光伏模塊回收等。

              背電場:

              A 級:

              背電場完整,厚薄均勻,允許有缺失,缺失面積不超過背電場總面積的 5% ,變色面積不超過背電場面積的 15% 。

              新的標準:背電場完整,厚薄均勻,不允許有缺失

              B 級:

              允許有缺失,缺失面積不超過背電場總面積的 10% ,變色面積不超過背電場面積的 30% 。

              新的標準:允許有缺失,缺失面積不超過背電場總面積的 5% ,變色面積不超過背電場面積的 15% 。

              C 級:

              允許有缺失,缺失面積不超過背電場總面積的 10% ,變色面積不超過背電場面積的 50% 。

              新的標準:缺失面積不超過背電場總面積的 5% ,變色面積不超過背電場面積的 50% 。

              粗點:

              粗點寬度≤ 0.18mm ,個數小于 2 個

              新的標準:不允許有粗點

              粗點寬度≤ 0.25mm ,個數小于 5 個

              新的標準:允許有粗點,粗點寬度≤ 0.18mm ,個數小于 2 個

              粗點寬度≤ 0.3mm ,個數小于 8 個

              新的標準:當主柵線或副柵線有明顯粗細不均時,應用刻度顯微鏡進行查檢。





              電池片的制作工藝

              燒結

              燒結目的

              干燥硅片上的漿料,燃盡漿料的有機組分,使漿料和硅片形成良好的歐姆接觸。

              燒結對電池片的影響

              銀漿的燒結很重要,對電池片電性能影響主要表現在 串聯電阻和并聯電阻 ,即 FF 的變化。

              鋁漿燒結的目的使漿料中的有機溶劑完全揮發,并形成完好的鋁硅合金和鋁層。局部的受熱不均和散熱不均可能會導致起包,嚴重的會起鋁珠。背面場經燒結后形成的鋁硅合金,鋁在硅中是作為 P 型摻雜,它可以減少金屬與硅交接處的少子復合,從而提高 開路電壓和短路電流 ,改善對紅外線的響應。

              燒結過程

              1. 室溫 ~300 度,溶劑揮發。

              2.300~500度,有機樹脂分解排出,需要氧氣。

              3.400 度以上,玻璃軟化。

              4.600 度以上,玻璃與減反層反應,實現導電。





              電池片各工序影響因素及異常情況

              電池片各工藝流程危害要素及異常現象 

              4.NaOH產生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高,金字塔式容積越小,反映前期,金字塔式成核相對密度類似沒受NaOH濃度值危害,堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉變比較顯著,濃度值高的NaOH水溶液與硅體現的速率加速,再反映過段時間后,金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時,各向異性系數縮小,絨面會愈來愈差,類似打磨拋光。可控性水平:與IPA相近,線性度不高。 

              5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效,使反映不會很強烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點,生長發育出的金字塔式更勻稱,更小一點兒Na2SiO3多的那時候要立即的排出去,Na2SiO3傳熱性差,會危害反映,水溶液的黏稠度也提升,非常容易產生水流、花藍印和表層黑斑。可控性水平:沒辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘渣硫酸具備酸和絡合劑的雙向功效,硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產生可溶解與水的絡合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層,SiO26HF=H2[siF6]2H2O。 

              基準點1.減薄量界定:硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125,硅片薄厚在200±25μm左右,減薄量在0.5±0.2g;硅片薄厚在200±25μm左右,減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156,首籃減薄量在0.7±0.2g;之后減薄量在0.6±0.2g。2.絨面分辨規范:成核相對密度高,尺寸適度,勻稱。

              操縱范疇:多晶硅:金字塔式規格3~10um。3.外型無豁口,黑斑,裂痕,激光切割線,刮痕,凹痕,有沒有白斑病,贓污。





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