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發布時間：2021-10-13 03:02
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用于CMP的拋光墊必須具有良好的化學穩定性(耐腐蝕性)、親水性以及機械力學特性。拋光墊通常可分為硬質和軟質(彈性、粘彈性)兩種。
硬質拋光墊可較好地保證工件表面的平面度
軟質拋光墊可獲得加工變質層和表面粗糙度都很小的拋光表面
用于CMP過程的硬質拋光墊有各種粗布墊、纖維織物墊、聚乙烯墊等,軟質拋光墊主要有聚氨酯墊、細毛氈墊、各種絨毛布墊等。拋光皮
為滿足芯片微型化、高密度化、高速化、高數字化和系統集成化的要求，對芯片直徑、平坦化、線寬和金屬互連層數提出了更高要求，這也對晶片的精密加工提出了更高要求。
半導體晶圓(芯片)加工工藝流程如圖1所示。
由于大規模集成電路(ULSI)向高度集成和多層布線發展，化學機械拋光、平坦化已成為集成電路制造不可缺少的關鍵工藝。它不僅是硅晶圓加工中終獲得納米光滑、無損傷表面的有效方法，也是芯片多層布線中的層間局域平坦化方法。
氧化鋁(Al2O3)，工業Al2O3是由鋁礬土(Al2O3?3H2O)和硬水鋁石制備的，對于純度要求高的Al2O3，一般用化學方法制備。氧化鋁俗稱剛玉，其摩氏硬度表位列第9，具有很大的硬度。又因有六角柱體的晶格結構，十分適合再研磨材料。氧化鋁產量較大，且相對比鉆石更低廉的價錢。所以氧化鋁它成為研磨和拋光的好材料。
