進口化學氣相沉積設備報價擇優推薦 沈陽鵬程公司

什么是化學氣相沉積？

化學氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程準確控制。等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激發并實現化學氣相沉積的技術。化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。

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PCVD與傳統CVD技術的區別

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PCVD與傳統CVD技術的區別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學氣相沉積過程中所需要的激發能，從而改變了反應體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進反應氣體分子的化學鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學基團，同時整個反應體系卻保持較低的溫度。這一特點使得原來需要在高溫下進行的CVD過程得以在低溫下進行。對基于PECVD技術的硅基薄膜的沉積而言，如果能夠深刻揭示其沉積機理，便可以在保證材料優良物性的前提下，大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率。