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              管道 氮氣置換-管道氮氣置換-念龍化工

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              發布時間:2020-06-22 10:00  
              實例操作2

              碰口施工

              在碰口點1 處,采用機械切割方式對PE 管切割1 個小口,

              小口處未發生燃燒或噴涌現象即可進行切割斷管,后按

              施工方案進行碰口施工,檢查焊接質量直至合格。同理進行碰

              口點2、3 處的碰口施工。施工完成后,開始進行氮氣置換空氣

              作業。

              氮氣置換空氣

              首先關閉新建管道上X1、X1-1、X2 、X2-1、X3 閥門,然

              后分三部分依次進行置換。

              置換在運干管 :關閉ZF1、ZF2 閥門,依次開啟放散點4 的

              火炬放散閥、調壓器進口閥門、GF1-1 閥門,開始注氮,直至檢

              測合格后關閉前述開啟的閥門。

              置換新建管道 :在X1-1( 放散點5)、X2-1( 放散點6) 放散

              閥處連接放散火炬,依次開啟放散點5 的火炬放散閥、X1-1、

              X3、GF1-1 后開始注氮,直至檢測合格后關閉前述開啟的閥

              門 ;打開放散點6 的火炬放散閥、X2-1、X3、GF1-1,直至檢測

              合格后關閉前述開啟的閥門。

              (3) 置換在運支管 :對支管2 進行置換,依次開啟放散點3

              的火炬放散閥、調壓器進口閥門、ZF2、GF1-1 后開始注氮,直

              至檢測合格后關閉前述開啟的閥門 ;同理對支管1 進行置換。

              完成后,方可進行置換氮氣作業。

              天ran氣置換氮氣

              同 5.4,本步驟分三部分依次進行置換。

              置換在運干管 :依次開啟放散點4 的火炬放散閥、調壓器

              進口閥門,緩慢開啟GF1 閥門并控制壓力和流速,直至檢測合

              格后關閉調壓器進口閥門,按程序拆除放散火炬并恢復放散口

              原貌,完全開啟GF1 閥門。



              天燃氣管道氮氣置換

              2.4.氮氣置換方法:

              其管線氮氣置換作業如下:

              (1)?置換步驟如下:一般可用10Mpa的氮氣進行置換,置換至區所有容器內氧氣的含量低于1%。具體步驟:用10Mpa的氮氣氣源進行置換;用氮氣從管道進氣口接入把區所有儲存容器及連接管道加壓至300—400Kpa;

              (2)?通過進氣口注入氮氣后,打開排空閥,管道氮氣置換,使容器管道內壓力減小至50Kpa以下;一般重復3-4次直至所有容器、管線中氧氣的含量低于1%。

              (3)?排放時排放口附近不允許人員靠近(因氮氣是惰性氣體有窒息危險)。

              (4)在設備或管線使用后,若因維修需再拆卸時,亦應進行氮氣置換,其方式如上述,或可使用低壓連續氮氣置換方式。此時之氮氣置換以不致危害人員為原則。使用上述方式加壓氮氣置換時,管道 氮氣置換,至少應兩次,修復后再行注入前,亦同上述進行氮氣置換程序。氮氣置換后氮氣排放至主管線上之排空閥排放。

              (5)依照氮氣置換流程向系統引入N2以約0.02MPa/分鐘速度升壓至〉0.3?MPa,然后緩慢泄壓至0.05MPa。

              (6)每次氮氣置換泄壓后在氮氣吹掃口采樣分析氧含量,如果合格,則氮氣置換結束。

              (7)燃氣改造工程氮氣置換所需要的氮氣約折40L?10MPa氮氣70瓶/次,按2次置換準備共約140瓶。

              備注:氮氣置換完成后(注前)所有閥門及設備禁止操作

              3.其他說明

              1.?本方案由氣體有限公司操作、實施。

              2.?在本項工作置換期間,管道置換范圍內所有設備禁止運行,保持自然通風。


              (1)性氣體

              把自燃、、可燃氣體等都定義為這類氣體。如常溫下的SiH4氣體只要與空氣接觸就會燃燒,當環境溫度達到一定時,PH3與B2 H6等氣體也會產生自燃。可燃氣體都有一定的著火燃燒范圍,即上限、下限值。此范圍越大的氣體起燃燒危險性就越高,如B 2H6的上限為98%,下限為0.9%。屬于氣體有H 2,天燃氣管道氮氣置換,NH3,PH3,DCS,ClF3 。

              (2)毒性氣體(Toxic Gas):半導體制造行業中使用的氣體很多都是對人體有害、有毒的。其中又以AsH3, B 2H6,PH3等氣體的毒性***大,它們的閾限值TLV(Threshold Limited Valve)分別只有50×10-9,100×10 -9,300×10-9。這些氣體在工作環境中的允許濃度極微,因此在貯存、輸送以及使用的過程中都要求特別的小心。一般都應該采取特定的技術措施來控制使用這些氣體。NO, C4F6,C5F8 ,NF3,CH 3F等都屬于毒性氣體。

              (3)腐蝕性氣體(Corrosive Gas):這些腐蝕性氣體通常同時也兼有較強的毒性。腐蝕性氣體在干燥狀態下一般不易侵蝕金屬,但在遇到水的環境下就顯示出很強的腐蝕性,如HCl, HF, PCl3, SiF4,ClF3,WF6等。

              (4)惰性氣體(Inert Gas): 隋性氣體本身一般不會直接對人體產生傷害,在氣體傳輸過程中,相對于安全上的要求不如以上其他氣體嚴格。但惰性氣體具有窒息特性,在密閉空間若發生泄漏會使人窒息而造成事故。屬于這類的氣體有C2 F6,CF4,SF6,CHF 3等。

              (5)氧化性氣體(Oxide Gas):這類氣體有較強的氧化性,管道氮氣置換方案,一般同時具有其他特性,如毒性或腐蝕性等。屬于這類的氣體有ClF3 ,Cl2,NF3等。


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