拉絲殘邊檢測(cè)價(jià)格值得信賴「多圖」

光纖傳輸特性參數(shù)測(cè)試

衰減的測(cè)試方法

衰減是光纖中光功率減少量的一種度量，它取決于光纖的性質(zhì)和長(zhǎng)度，并受測(cè)量條件的影響。衰減的主要測(cè)試方法如下：

●截?cái)喾?

截?cái)喾ㄊ菧y(cè)量光纖衰減特性的基準(zhǔn)試驗(yàn)方法（RTM），在不改變注入條件時(shí)測(cè)出通過(guò)光纖兩橫截面的光功率，從而直接得到光纖衰減。

●損耗法

 損耗法是測(cè)量光纖衰減特性的替代試驗(yàn)方法（ATM），原理上類似于截?cái)喾ǎ饫w注入端的光功率是注入系統(tǒng)輸出端的出射光功率。測(cè)得的光纖衰減中包含了試驗(yàn)裝置的衰減，必須分別用附加連接器損耗和參考光纖段損耗對(duì)測(cè)量結(jié)果加以修正。

●后向散射法

 后向散射法是測(cè)量光纖衰減特性的替代試驗(yàn)方法（ATM），它測(cè)量從光纖中不同點(diǎn)后向散射至該光纖始端的后向散射光功率。這是一種單端測(cè)量方法。

線纜檢測(cè)設(shè)備導(dǎo)線直流電阻的測(cè)量：

 對(duì)電線電纜而言，導(dǎo)體部分是其的組成部分。電線電纜的導(dǎo)電線芯主要傳輸電能或電信號(hào)。

 導(dǎo)線的電阻是其電氣性能的主要指標(biāo)，現(xiàn)在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：檢測(cè)線芯的直流電阻或電阻率是否超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)中的規(guī)定的值。

此項(xiàng)檢測(cè)的主要目的是發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)工藝中的某些缺陷：如導(dǎo)線斷裂或其中部分單線斷裂；導(dǎo)線截面不符合標(biāo)準(zhǔn)；產(chǎn)品的長(zhǎng)度不正確等。

 此外，對(duì)電力電纜而言，此項(xiàng)檢測(cè)不僅可以檢測(cè)出導(dǎo)體的狀況，還可以檢測(cè)出導(dǎo)體對(duì)電線電纜產(chǎn)品運(yùn)行中允許的載流量是否有影響。

擊穿試驗(yàn)是在一定的試驗(yàn)條件下，升高電壓直到試品發(fā)生擊穿為止，測(cè)量擊穿場(chǎng)強(qiáng)或擊穿電壓。通過(guò)擊穿試驗(yàn)可以考纜承受電壓的能力與工作電壓之間的安全裕度。擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí)電纜設(shè)計(jì)中的重要參數(shù)之一。電纜在運(yùn)行中一般承受的是交流電壓，但在直流輸電系統(tǒng)中及某些特殊場(chǎng)合也有承受直流電壓的，對(duì)于高電壓電纜還可能要遭受大氣電壓（雷電）和操作過(guò)電壓。因此，按實(shí)驗(yàn)電壓波形的不同，可以分為1.交流（工頻）電壓、2.直流電壓、3沖擊電壓三種絕緣強(qiáng)度試驗(yàn)。

CCD 與CMOS 圖像傳感器光電轉(zhuǎn)換的原理相同，他們的差別在于信號(hào)的讀出過(guò)程不同；由于CCD僅有一個(gè)（或少數(shù)幾個(gè)）輸出節(jié)點(diǎn)統(tǒng)一讀出，其信號(hào)輸出的一致性非常好；而CMOS 芯片中，每個(gè)像素都有各自的信號(hào)放大器，各自進(jìn)行電荷-電壓的轉(zhuǎn)換，其信號(hào)輸出的一致性較差。但是CCD 為了讀出整幅圖像信號(hào)，要求輸出放大器的信號(hào)帶寬較寬，而在CMOS 芯片中，每個(gè)像元中的放大器的帶寬要求較低，大大降低了芯片的功耗，這就是CMOS芯片功耗比CCD 要低的主要原因。盡管降低了功耗，但是數(shù)以百萬(wàn)的放大器的不一致性卻帶來(lái)了更高的固定噪聲，這又是CMOS 相對(duì)CCD 的固有劣勢(shì)。