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發(fā)布時間：2021-10-23 02:52
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光刻膠：用化學反應進行圖像轉(zhuǎn)移的媒介
光刻膠具有光化學敏感性，其經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片。
光刻膠和集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈的前端的即為光刻膠專用化學品，生產(chǎn)而得的不同類型的光刻膠被應用于消費電子、家用電器、信息通訊、汽車電子、航空航天等在內(nèi)的各個下游終端領域，需求較為分散。
光刻膠基于應用領域不同一般可以分為半導體集成電路（IC）光刻膠、 PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個大類。其中， PCB光刻膠占全球市場24.5%，半導體IC光刻膠占全球市場24.1%，LCD光刻膠占全球市場26.6%。
NR9-3000PYNR9 3000P光刻膠廠家
四、前烘（Soft Bake）
完成光刻膠的涂抹之后，需要進行軟烘干操作，這一步驟也被稱為前烘。前烘能夠蒸發(fā)光刻膠中的溶劑溶劑、能使涂覆的光刻膠更薄。
在液態(tài)的光刻膠中，溶劑成分占65％－85％。雖然在甩膠之后，液態(tài)的光刻膠已經(jīng)成為固態(tài)的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易沾污灰塵。同時，傳統(tǒng)的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時，光刻膠最外面的外殼阻擋了光刻膠內(nèi)部的熱量的散發(fā)，光刻膠內(nèi)部膨脹應力增大，導致層多晶硅倒塌的現(xiàn)象。通過在較高溫度下進行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來（前烘后溶劑含量降至5％左右），從而降低了灰塵的沾污。同時，這一步驟還可以減輕因高速旋轉(zhuǎn)形成的薄膜應力，從而提高光刻膠 襯底上的附著性。
在前烘過程中，由于溶劑揮發(fā)，光刻膠厚度也會減薄，一般減薄的幅度為10％－20％左右。
光刻膠
光刻膠由光引發(fā)劑、樹脂、溶劑等基礎組分組成，又被稱為光致抗蝕劑，這是一種對光非常敏感的化合物。兩種標準對超凈高純化學品中金屬雜質(zhì)和(塵埃)微粒的要求各有側(cè)重，分別適用于不同級別IC的制作要求。此外，光刻膠中還會添加光增感劑、光致產(chǎn)酸劑等成分來達到提高光引發(fā)效率、優(yōu)化線路圖形精密度的目的。在受到紫外光曝光后，它在顯影液中的溶解度會發(fā)生變化。
分類
根據(jù)光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類。
正膠
曝光前對顯影液不可溶，而曝光后變成了可溶的，能得到與掩模板遮光區(qū)相同的圖形。
優(yōu)點：分辨率高、對比度好。
缺點：粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。
靈敏度：曝光區(qū)域光刻膠完全溶解時所需的能量
負膠egative
Photo Resist）
與正膠反之。
優(yōu)點： 良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快。
缺點： 顯影時發(fā)生變形和膨脹，導致其分辨率。
靈敏度：保留曝光區(qū)域光刻膠原始厚度的50%所需的能量。
