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              多靶磁控濺射儀公司擇優(yōu)推薦【沈陽鵬程】

              發(fā)布時間:2021-01-21 21:36  

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              光纖磁控濺射鍍膜機(jī)組成

              以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供,希望對同行業(yè)的朋友有所幫助。

              設(shè)備用途:

              在光纖表面鍍制納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。配有陽極層離子源進(jìn)行清洗和輔助沉積,同時設(shè)備具有反濺射清洗功能,以提高膜的質(zhì)量和牢固度。專用樣品臺可鍍制多種型號光纖產(chǎn)品

              系統(tǒng)主要由真空室、磁控靶、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺等部分組成。



              雙室磁控濺射系統(tǒng)

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              設(shè)備簡介

              主要特點是設(shè)備體積小,結(jié)構(gòu)簡單緊湊易于操作,對實驗室供電要求低;該系列設(shè)備主要部件采用進(jìn)口或者國內(nèi)最優(yōu)的配置,從而提高設(shè)備的穩(wěn)定性;另外自主開發(fā)的智能操作系統(tǒng)在設(shè)備的運行重復(fù)性及安全性方面得到更好地保障。 目前該系列有基本型、旗艦型、豪華型、尊享型4種不同配置可供選擇,可以根據(jù)客戶的不同需求進(jìn)行配置,比較靈活;標(biāo)配4只Φ2英寸永磁靶,4臺500W直流濺射電源,主要用來開發(fā)納米級單層及多層的金屬導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜以及絕緣膜等。濺射產(chǎn)生的原子或分子沉積到基體(零件)表面的過程就是濺射鍍膜。



              小型磁控濺射儀的優(yōu)勢

              設(shè)備主要優(yōu)勢    

              實用性:設(shè)備集成度高,結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小,可以滿足客戶實驗室空間不足的苛刻條件;通過更換設(shè)備上下法蘭可以實現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換,實現(xiàn)一機(jī)多用;

              方便性:設(shè)備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式,接線及安裝調(diào)試簡單,既保證了設(shè)備使用方便又保證了設(shè)備的整潔;

              高性價比:設(shè)備主要零部件采用進(jìn)口或國內(nèi)品牌,以國產(chǎn)設(shè)備的價格擁有進(jìn)口設(shè)備的配置,從而保證了設(shè)備的質(zhì)量及性能;

              安全性:獨立開發(fā)的PLC 觸摸屏智能操作系統(tǒng)在傳統(tǒng)操作系統(tǒng)的基礎(chǔ)上新具備了漏氣自檢與提示、通訊故障自檢、保養(yǎng)維護(hù)提示等功能,保證了設(shè)備的使用安全性能;

              期望大家在選購磁控濺射產(chǎn)品時多一份細(xì)心,少一份浮躁,不要錯過細(xì)節(jié)疑問。想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)資訊,歡迎撥打圖片上的熱線電話!!!



              磁控濺射的種類介紹

              磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對象。但有一共同點:利用磁場與電場交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運行,從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

              靶源分平衡式和非平衡式,平衡式靶源鍍膜均勻,非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜,非平衡多用于磨損裝飾膜。以上就是關(guān)于磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)內(nèi)容介紹,如有需求,歡迎撥打圖片上的熱線電話。磁控陰極按照磁場位形分布不同,大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等,兩極磁力線閉合于靶面,很好地將電子/等離子體約束在靶面附近,增加了碰撞幾率,提高了離化效率,因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電,靶材利用率相對較高。

              但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面,基片區(qū)域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術(shù),即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極,兩極磁力線在靶面不完全閉合,部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域,從而部分電子可以沿著磁力線擴(kuò)展到基片,增加基片磁控濺射區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡,若磁鐵靜止,其磁場特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率,可采用旋轉(zhuǎn)磁場。但旋轉(zhuǎn)磁場需要旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),同時濺射速率要減小。旋轉(zhuǎn)磁場多用于大型或貴重靶,如半導(dǎo)體膜濺射。對于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備,多用磁場靜止靶源。并且均勻性這個概念本身也會隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。

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