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晶體諧振器的電性能參數(shù)

KOAN 諧振器之負(fù)載電容 CL：也稱晶體的調(diào)整電容，外圍電路需與之匹配或反之。負(fù)載電容可大可小。

負(fù)載電容值大：遠(yuǎn)端相噪好，過大，難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，還容易導(dǎo)致回路阻抗增大，不易起振；

負(fù)載電容值小，容易調(diào)整頻率，近端相噪好，易起振，功耗低。電路匹配電容加上電路雜散電容，愈接近晶體負(fù)載容量（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)

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KOAN 晶體采用不同大小激勵功率測試以提高穩(wěn)定性

弛豫效應(yīng)：加在晶片上的機(jī)械應(yīng)力隨時(shí)間的推移而松弛時(shí)，會引起頻率的漂移，因此要選擇合適的激勵功率，使晶片的自身應(yīng)力和電極施于晶片的應(yīng)力發(fā)生變化，應(yīng)力的變化又導(dǎo)致因應(yīng)力弛豫效應(yīng)引起的老化速率發(fā)生變化。另外，激勵功率變化，將引起晶片振幅的變化，從而改變晶片上質(zhì)量遷移引起的老化速率，可能抵消兩種老化速率。KOAN晶體諧振器電容匹配知識KOAN晶振的電路匹配電容時(shí)，不要忽略電路雜散電容，諧振器兩個引腳的外圍電容愈接近晶體負(fù)載電容（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)。

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KOAN 晶振之 BT 切溫度特性優(yōu)點(diǎn)

優(yōu)點(diǎn)：BT 切晶體 Q 值比較高，其頻率常數(shù)比 AT 切大 50%，因此當(dāng)頻率一定時(shí)，晶振片的厚度也增大了 50%，對于厚度切變振動的石英諧振器，其 Q 值與晶片的厚度成正比；期望大家在選購晶體諧振器時(shí)多一份細(xì)心，少一份浮躁，不要錯過細(xì)節(jié)疑問。同時(shí)，溫度曲線的形狀對切角不很敏感，因此易控制零溫度系數(shù)點(diǎn)，即它對切角公差的要求比較輕松；還有可做高基頻晶體。

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晶體諧振器適用范圍

晶體諧振器適用于精度要求較高的電子設(shè)備當(dāng)中，當(dāng)使用晶體諧振器時(shí)，晶體上的電極向正確切割和放置的應(yīng)時(shí)晶體施加電場時(shí)，晶體將變形這是逆壓電效應(yīng)，當(dāng)施加的電場被移除時(shí)，這時(shí)晶體將返回其原始狀態(tài)并發(fā)射電場，從而在電極上產(chǎn)生電壓。晶體諧振器使用精度和穩(wěn)定性要求如果比較嚴(yán)格的話，應(yīng)將晶體諧振器存放于振動吸收容器中，避免外部溫度及振動帶來干擾。0如需了解更多晶體諧振器的相關(guān)內(nèi)容，歡迎撥打圖片上的熱線電話。

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