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發布時間:2021-10-26 01:43  
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而在電路未啟動之前,由于高壓端啟動電阻的充電,可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動的電壓,一旦電路有問題一下啟動不了VCC由于繞組電壓的預設值偏低。電路也是不會啟動的,一般表現為嗝狀態。●為何要按照IC的工作電壓低端取值?因為我們次級繞組是與初級繞組相鄰繞制的,耦合效果相對而言是的。我們做短路試驗也是做次級的輸出短路,因為耦合效果好,次級短路時VCC在經過短暫的上沖后會快速降低,降到IC的關閉電壓時電路得到的保護。需要注意這個電壓需要高于MOSFET飽和導通1V以上,避免驅動不足。
如反激一次側的高壓MOS的D、S之間距離,依據公式500V對應0.85mm,DS電壓在700V以下是0.9mm,考慮到污染和潮濕,一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠,需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過炸機現象,增加安全距離后解決了,因為磁珠容易沾上殘留物 55.發一個驗證VCC的土方法,把產品放低溫環境(冰箱)幾分鐘,測試VCC波形電壓有沒有觸發到芯片欠壓保護點。 小公司設備沒那么全,有興趣的可以做個對比,看看VCC差異有多大關于VCC圈數的設計需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風孔,有利于散熱,小板也一樣,要考慮風路。